[发明专利]一种氧化亚铜基异质结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510295043.1 申请日: 2015-06-02
公开(公告)号: CN104993004B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 朱丽萍;牛文哲 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0336;H01L31/18
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司33200 代理人: 韩介梅
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化亚铜 基异质结 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化亚铜基异质结太阳能电池,其特征在于,在衬底(1)上自下而上依次有铬金复合电极 (2)、氧化亚铜层(3)、ZnO:S缓冲层(4)、ZnO:Al层(5)和铝栅电极(6),所述的ZnO:S缓冲层(4)厚度为10nm,硫的原子百分比为9%,所述的ZnO:Al层(5)载流子浓度大于1021cm-3,方块电阻小于50Ω/□。

2.根据权利要求1所述的氧化亚铜基异质结太阳能电池,其特征在于,所述的铬金复合电极(2)中铬层厚度为8nm, 金层厚度为100~120nm。

3.根据权利要求1所述的氧化亚铜基异质结太阳能电池,其特征在于,所述的氧化亚铜层(3)的厚度为2.5μm±100nm。

4.根据权利要求1所述的氧化亚铜基异质结太阳能电池,其特征在于,所述的铝栅电极(6)的厚度为1μm,其栅间距为0.5㎜。

5.制备如权利要求1-4任一项所述的氧化亚铜基异质结太阳能电池的方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)在洁净的衬底(1)上依次蒸镀铬、金制备铬金复合电极(2);

2)在上述铬金复合电极(2)表面采用电化学沉积法生长氧化亚铜层(3),并在铬金复合电极(2)表面预留用于电池测试的面积;

3)在上述氧化亚铜层(3)表面依次沉积生长ZnO:S缓冲层(4)和 ZnO:Al层(5);

4)在ZnO:Al层(5)表面制作铝栅电极(6),获得氧化亚铜基异质结太阳能电池。

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