[发明专利]电阻率分布均匀的掺镓晶体硅及其制备方法在审
| 申请号： | 201510295534.6 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN104846437A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 张帅;朱常任;郭晓琛;王双丽 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻率 分布 均匀 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在坩埚底部均匀铺设一层掺镓硅料；
在所述掺镓硅料的上方设置含有镓掺杂剂的多晶硅料；
控制所述坩埚内的温度使所述多晶硅料、掺镓硅料自上至下逐步熔化，并在所述掺镓硅料部分熔化时使熔化形成的硅液向上结晶并最终生成晶体硅锭。
2.根据权利要求1所述的电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，其特征在于，所述镓掺杂剂为纯镓或硅-镓合金。
3.根据权利要求1所述的电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，其特征在于，所述掺镓硅料为掺镓多晶硅或掺镓单晶硅。
4.根据权利要求3所述的电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，其特征在于，所述掺镓多晶硅为颗粒状。
5.根据权利要求3所述的电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，其特征在于，所述掺镓单晶硅为块状单晶硅，平铺在坩埚底部。
6.根据权利要求1所述的电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，其特征在于，所述熔化在真空或惰性气体的保护下进行。
7.根据权利要求1所述的电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，其特征在于，利用石英杆辅助测量掺镓硅料的熔化程度。
8.根据权利要求1所述的电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，其特征在于，所述掺镓硅料中的镓掺杂浓度范围为10000～200000ppbw。
9.一种掺镓晶体硅，其特征在于，其是按照如权利要求1至8中任一项所述的方法制得。
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