[发明专利]一种p型导电薄膜TaxMo1‑xS2及制备方法

权利要求书

1.一种p型导电薄膜Ta_xMo_1-xS₂的制备方法，所述薄膜中Ta的掺入量x为0.2～0.4，所述薄膜厚度为4～16nm，其特征在于制备方法步骤如下：

步骤1、清洗Si衬底：将Si衬底在6～10％的氢氟酸溶液中浸泡除去表面氧化膜；然后将Si衬底在去离子水中采用超声波清洗；然后将Si衬底放在无水乙醇中用超声波清洗得到清洗干净的Si衬底；

步骤2、采用PEALD等离子体增强原子层沉积方法在Si衬底上沉积Ta_xMo_1-xS₂薄膜：将清洗干净的Si衬底加热至100～300℃，通入前驱体六羰基钼和五氯化钽2～6s，然后用高纯N₂气清洗6～14s，再将硫化氢气体等离子化2～6s，最后用高纯N₂气再清洗10～16s；所述六羰基钼的流量8～16SCCM；所述五氯化钽的流量2～6SCCM；所述高纯N₂气的流量6～10SCCM；所述硫化氢的流量10～20SCCM；

步骤3：循环步骤2，使得满足Ta_xMo_1-xS₂薄膜所要求的厚度；

步骤4、原位退火：对经过步骤2的镀膜Si衬底在原位进行退火处理，工艺条件为：退火温度400～600℃、退火保护气氛Ar气、退火时间20～60min，得到Ta_xMo_1-xS₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1中超声波清洗时超声波的功率为100～200W，超声波的频率为20～24kHz。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤1在去离子水中超声波清洗时间为2～4分钟。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤1在无水乙醇中超声波清洗时间为3～5分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1中在6～10％的氢氟酸溶液中浸泡5～10分钟。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3中的循环次数为50～150次。