[发明专利]一种硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置有效
申请号: | 201510295806.2 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN104934502B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 褚君浩;孙雷;马建华;姚娘娟;江锦春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;C01B19/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气压 可控 铜铟镓硒 薄膜 化装 | ||
1.一种硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置,由石英腔体、真空系统、气体流量控制系统、加热系统和石墨盒构成,其特征在于:
所述的石墨盒上为密闭盒体,盒内凹槽装有硒粉,盒底平面放置待硒化样品;除了常规的上盖以外,还在上盖中间开孔,并在此开孔中放置一个圆锥体型小盖子,通过改变小盖子质量和开孔面积调节石墨盒内的硒气压;
所述的石英腔体为可放置石墨盒的石英管;
所述的真空系统包括真空泵、真空计和连接管道;
所述的气体流量控制系统包括进气接口及精密针阀,可通入惰性气体并控制其流量大小;
所述的加热系统由上下两排均匀间隔分布在石英腔体周围的卤素灯管组成;
石英腔体内放置石墨盒,两端设有密封装置,且均装有阀门,其一端连接真空系统,另一端连接气体流量控制系统,通过调节石英腔体两端的阀门,可以控制真空系统的抽气速率和气体流量控制系统的气体流量,进而调节石英腔体内的气压大小。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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