[发明专利]用于优化电阻性衬底的电镀性能的晶片边缘的金属化

权利要求书

1.一种用于电镀衬底的方法，其包括，

提供衬底，所述衬底具有设置在所述衬底的顶表面上的导电层，所述衬底的所述顶表面具有被限定为延伸到所述衬底的边缘的环形区域的边缘排除区，所述衬底的所述顶表面还具有被限定为所述衬底的延伸到大致所述环形区域的中央区域的处理区；

在使所述衬底旋转的同时引导无电沉积溶液流朝向所述边缘排除区，所述流被引导远离所述处理区，使得所述无电沉积溶液基本上被引导到所述边缘排除区的所述环形区域上，所述无电沉积溶液使金属材料镀敷在所述边缘排除区处的所述导电层上；

使所述无电沉积溶液流持续一段时间，所述一段时间被预先确定，以在所述边缘排除区产生所述金属材料的增大了的厚度，其中所述金属材料的所述增大了的厚度使在所述边缘排除区的所述金属材料的电阻减小；

在所述金属材料上施加电触件，使所述电触件围绕所述边缘排除区的所述环形区域分布；以及

在向所述衬底的所述处理区上施加电镀溶液时，经由所述电触件施加电流到所述金属材料，所述增大了的厚度和所导致的针对所述电流的减小的电阻有助于增大因所施加的所述电流和所施加的所述电镀溶液而导致的镀敷所述处理区的速率。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述导电层限定金属籽晶层；以及

其中，经由所述电触件施加电流到所述金属材料实现在所述衬底的所述处理区上的金属主体层的镀敷。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电层是由选自由铜、钴、钌或金构成的群组中的金属限定的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属材料是由选自由铜、钴、钌或金构成的群组中的金属限定的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电层的厚度是在10埃至200埃的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在向所述衬底的所述处理区上施加所述电镀溶液时，通过增大所施加的所述电流限定增大镀敷所述处理区的速率，所述金属材料的所述增大了的厚度和所导致的减小的电阻有助于增大所施加的所述电流。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，镀敷所述处理区的所述速率从初始速率增大到增大了的速率，所述增大了的速率与所述金属材料的所述增大了的厚度是大致线性相关的。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述导电层限定衬垫层或阻挡层；以及

其中，经由所述电触件施加电流到所述金属材料实现在所述衬底的所述处理区上的金属籽晶层或金属主体层的镀敷。

9.一种用于处理衬底的方法，包括：

接收具有金属籽晶层的衬底；

施加无电沉积溶液到所述金属籽晶层的被限定在所述衬底的边缘排除区的第一部分，以在所述金属籽晶层的所述第一部分上选择性地沉积边缘金属化层；

施加电触件至所述边缘金属化层；

将所述金属籽晶层的被限定在所述衬底的器件区的第二部分暴露于电镀溶液；

将电流施加到所述电触件，以在所述金属籽晶层的所述第二部分上电镀金属主体层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中施加所述无电沉积溶液包括：使喷嘴指向所述衬底的在所述边缘排除区的周边位置，旋转所述衬底，以及在所述衬底旋转时，从所述喷嘴分配所述无电沉积溶液。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述边缘金属化层的厚度是由将所述无电沉积溶液施加到所述金属籽晶层的所述第一部分的持续时间来限定的。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述持续时间被预先限定，以增大所述边缘金属化层的厚度，从而当经由所述电触件施加所述电流时使电阻减小。