[发明专利]离子布植机

权利要求书

1.一种离子布植机，其特征在于，包括：

一离子源，提供一离子束；

沿着离子束传输途径排列且位于离子源下游的多个光学组件,在此该多个光学组件的不同部分是调整离子源提供离子束的不同部分，用以将离子束调整为一非平行离子束，其中该非平行离子束为发散离子束或收敛离子束，在此非平行离子束的平行度是明显小于平行离子束的平行度，其中，当非平行离子束为发散离子束时，其发散角度大于等于3度但小于等于10度、或是大于5度但小于15度、或是不小于4度也不大于8度、或是小于18度而大于3度；或者，当非平行离子束为收敛离子束时，且其收敛角度大于等于3度但小于等于10度、或是大于5度但小于15度、或是不小于4度也不大于8度、或是小于18度而大于3度，其中所述多个光学组件至少包含:

至少一磁性组件，配置于离子束传递路径并位于离子源下游,还有一电性组件，配置于离子束传递路径并位于磁性组件下游；

至少一磁性组件，配置于离子束传递路径并位于离子源下游,还有一电性组件，配置于离子束传递路径并位于二个磁性组件之间；以及

至少一电性组件，配置于离子束传递路径并位于离子源下游,还有一磁性组件，配置于离子束传递路径，并且位于所有电性组件的下游或是位于二个电性组件之间；以及

一分析磁铁，其系用以滤除不需要的离子，且所述多个光学组件位于所述的分析磁铁的下游；以及

一承载装置，其系用以承载一工件,其配置于离子束传递路径并位于光学组件的下游，该工件具有鳍状三维结构，且该工件的鳍状三维结构的顶表面及侧表面同时被该非平行离子束的不同部分所布植。

2.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，当离子源提供的离子束为点状离子束时非平行离子束与平行离子束的角度分布差异是等于或小于15度,而当离子源提供的离子束为束状离子束时非平行离子束与平行离子束的角度分布差异是等于或小于5度。

3.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，光学组件的位置是靠近离子源但远离承载装置。

4.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，该光学组件至少包含下列之一:

施加四极磁场于离子束的磁四极矩；以及

位于两支架上的多数个线圈，这两支架是位于离子束的相对两侧。

5.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，该多个光学组件对离子束的调整至少包含下列之一:

离子源提供的离子束是被靠近离子源的至少一光学组件收敛成收敛离子束，然后此收敛离子束被远离离子源的至少一光学组件发散成非平行离子；

离子源提供的离子束是被靠近离子源的至少一光学组件发散成发散离子束，然后此发散离子束被远离离子源的至少一光学组件收敛成非平行离子束；

离子源提供的离子束是被该多个光学组件逐渐发散成非平行离子束；

离子源提供的离子束是被该多个光学组件依序先收敛再发散而形成收敛离子束或发散离子束；

离子源提供的离子束是被该多个光学组件逐渐收敛成此非平行离子束；

离子源提供的离子束是被该多个光学组件依序先发散再收敛而形成发散离子束或收敛离子束；

离子源提供的离子束是被靠近离子源的至少一光学组件发散成发散离子束，然后被远离离子源的至少一光学组件所收敛而在聚焦之后形成非平行离子束；以及

离子源提供的离子束是被靠近离子源的至少一光学组件收敛成收敛离子束，然后在收敛离子束聚焦之后被远离离子源的至少一光学组件再发散而形成非平行离子束。

6.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，更包含一孔隙装置，配置于离子束传递途径上并位于光学组件的下游，用以阻挡部分的非平行离子束或是减少部分的非平行离子束的离子浓度。

7.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，更包含一孔隙装置，配置于离子束传递途径上并位于该多个光学组件之间，用以阻挡部分的非平行离子束或减少部分的非平行离子束的离子浓度。