[发明专利]一种常温、低电压条件下电沉积类金刚石薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510298974.7 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104862759A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陈智栋;张倩;王文昌;王钰蓉 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 常温 电压 条件下 沉积 金刚石 薄膜 方法 | ||
1.一种液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的制备方法中，以卤代羧酸的水溶液为电解液，在阴极和阳极之间施加电压，电沉积类金刚石薄膜。
2.如权利要求1所述的液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的卤代羧酸的结构式为
其中，R1为H、F、Cl、Br、I或(CH2)n-CH3，n≤3；R2为H、F、Cl、Br、I或(CH2)n-CH3，n≤3；R3为H、F、Cl、Br、I或(CH2)n-CH3，n≤3，
并且，所述的结构式中，R1、R2和R3中至少有一个为卤素取代基。
3.如权利要求1所述的液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的作为电解液的卤代羧酸水溶液中，卤代羧酸的浓度为5-150g/L。
4.如权利要求1所述的液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的电沉积类金刚石薄膜的反应温度为10～45℃。
5.如权利要求1所述的液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的在阴极和阳极之间施加的电压为3～15V。
6.如权利要求1所述的液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的电沉积的时间为60-120分钟。
7.如权利要求1所述的液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的阴极为掺杂氟的二氧化锡导电玻璃、氧化铟锡玻璃或单晶硅。
8.如权利要求1所述的液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的阳极为碳棒。
9.如权利要求1所述的液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的阴极和阳极之间的距离为5～15毫米，且阳极与阴极的面积相同。
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