[发明专利]一种用于形成超薄铜箔剥离层的有机组合物及制备和应用

说明书

技术领域

本发明涉及铜箔剥离层技术领域，尤其涉及一种用于形成超薄铜箔剥离层的有机组合物及制备和应用。

背景技术

伴随着电子产品高度集成化、小型化的发展，作为印刷电路板(PCB)的主要原材料的载体支撑可剥离铜箔也向着越来越薄的方向发展。12μm以下的载体超薄铜箔也随着厚度越薄而越难制备，故而超薄铜箔将成为今后电解铜箔技术研究的重点和市场需求的热点。

铜箔越薄，制备越困难，而且在运输过程中很容易起皱和撕裂，因此制备超薄，对技术含量要求也高。在国内外，超薄铜箔的传统制作方法是采用一定厚度的载体箔作为阴极，在其上先形成剥离层，再电沉积铜，沉铜方式主要有三种：氰化物电沉积铜、焦磷酸盐电沉积铜和硫酸盐电沉积铜。电沉积之后将镀上的超薄铜箔连同阴极的载体箔一同经热压、固化在绝缘材料板上，再将用作阴极的金属支撑箔用化学或机械方法剥离除去。

在制备超薄铜箔过程中，剥离层是非常重要的，剥离层主要分为：无机剥离层、有机剥离层和复合剥离层，无机剥离层主要为金属层或合金层；有机剥离层为含氮化合物、含硫化合物和羧酸等，常选用苯并三氮唑(BTA)和羧基苯并三唑(CBTA)等，而有机剥离层往往导电性差，导致出现有机物吸附少难以剥离，吸附多导电性不好的弊端；复合剥离层经常选用有机层和合金层一起作为剥离层，其中合金层中含有稀土金属，价格较高。

随着电子产品的发展，超薄铜箔的需求量越来越大，因此一种价格低廉且足够薄的超薄铜箔的制备方法急需研究。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种用于形成超薄铜箔剥离层的有机组合物及制备和应用，选择可剥离性稳定而导电性影响小的有机组合物作为剥层剂，来制备超薄铜箔，以克服导电性差的弊端，能避免出现有机物吸附少难以剥离，有机物吸附多导电性不好的现象。

本发明提出的一种能形成超薄铜箔剥离层的有机组合物，其原料包括去离子水，植酸类化合物，强碱溶液，噻二唑类化合物/噻三唑类化合物；其中，植酸类化合物在有机组合物中的质量浓度为0.01-21g/L，噻二唑类化合物/噻三唑类化合物在有机组合物中的质量浓度为0.01-5g/L。

其中，噻二唑类化合物/噻三唑类化合物的含义为：噻二唑类化合物或噻三唑类化合物。

具体实施方式中，植酸类化合物在有机组合物中的质量浓度可以为0.01g/L、0.02g/L、0.04g/L、0.06g/L、0.08g/L、0.1g/L、0.2g/L、0.22g/L、0.4g/L、0.53g/L、0.6g/L、0.72g/L、0.8g/L、0.97g/L、1g/L、1.6g/L、2g/L、2.5g/L、3g/L、3.2g/L、4g/L、4.4g/L、5g/L、5.5g/L、6g/L、6.3g/L、7g/L、7.6g/L、8g/L、8.5g/L、9g/L、9.1g/L、10g/L、10.6g/L、11g/L、11.3g/L、12g/L、12.8g/L、13g/L、13.5g/L、14g/L、14.8g/L、15g/L、15.2g/L、16g/L、16.4g/L、17g/L、17.6g/L、18g/L、18.7g/L、19g/L、19.3g/L、20g/L、21g/L，噻二唑类化合物/噻三唑类化合物的质量浓度可以为0.01g/L、0.02g/L、0.04g/L、0.06g/L、0.08g/L、0.1g/L、0.15g/L、0.2g/L、0.22g/L、0.4g/L、0.53g/L、0.6g/L、0.72g/L、0.8g/L、0.97g/L、1g/L、1.6g/L、2g/L、2.5g/L、3g/L、3.2g/L、4g/L、4.4g/L、5g/L。

优选地，植酸类化合物为植酸或植酸盐。

优选地，所述有机组合物的pH值为4-10。

具体实施方式中，有机组合物的pH值可以为4、5、6、7、8、9、10。

优选地，噻二唑类化合物为含有1-2个取代基的2,1,3-苯并噻二唑、含有1-2个取代基的1,2,3-噻二唑或含有1-2个取代基的1,3,4-噻二唑，其中取代基为氢、巯基、氨基或甲基。

优选地，噻三唑类化合物为含有1-2个取代基的1,3,4-噻三唑，其中取代基为氢、巯基、氨基或甲基。

优选地，强碱溶液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。

本发明还提出的上述能形成超薄铜箔剥离层的有机组合物的制备方法，将植酸类化合物加入去离子水中，滴加强碱溶液调节pH，然后加入噻二唑类化合物/噻三唑类化合物混合均匀得到能形成超薄铜箔剥离层的有机组合物。