[发明专利]一种一维α‑Si3N4纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510299826.7 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104891456B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李斌;崔江;张长瑞;王思青;邹春荣 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所43205 | 代理人： | 陈亚琴,宁星耀 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si sub 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于，按照以下方法制成：
（1）选取氧化铝陶瓷片为基底，将氧化铝陶瓷片表面清理干净，置于无水乙醇中超声清洗，然后进行干燥；所述超声清洗的频率为25～60 kHz，时间为2～3h；
（2）将步骤（1）处理后的氧化铝陶瓷片水平悬于装有一氧化硅粉末的坩埚上，在抽真空后持续通入氮化气体的反应炉中，以7～11℃/min的速度加热至1200～1600℃后，保温1.0～3.5h，然后以3～6℃/min的速度降温至1000℃，随炉冷却至室温，得一维α-Si3N4纳米材料。
2.根据权利要求1所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（1）中，所述氧化铝陶瓷片的纯度≥90wt%。
3.根据权利要求1或2所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（1）中，所述干燥的温度为50～200℃，干燥的时间为2～10h。
4.根据权利要求3所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：所述干燥的温度为100～150℃，干燥的时间为3～5h。
5.根据权利要求1或2所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中，所述一氧化硅粉末的纯度≥95%。
6.根据权利要求3所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中，所述一氧化硅粉末的纯度≥95%。
7.根据权利要求4所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中，所述一氧化硅粉末的纯度≥95%。
8.根据权利要求1或2所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中抽真空至≤10Pa。
9.根据权利要求3所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中抽真空至≤10Pa。
10.根据权利要求4所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中抽真空至≤10Pa。
11.根据权利要求5所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中抽真空至≤10Pa。
12.根据权利要求1或2所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中，所述氮化气体为氮气和/或氨气，流量为100～800mL/min，控制气压为常压～1.0MPa。
13.根据权利要求3所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中，所述氮化气体为氮气和/或氨气，流量为100～800mL/min，控制气压为常压～1.0MPa。
14.根据权利要求4所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中，所述氮化气体为氮气和/或氨气，流量为100～800mL/min，控制气压为常压～1.0MPa。
15.根据权利要求5所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中，所述氮化气体为氮气和/或氨气，流量为100～800mL/min，控制气压为常压～1.0MPa。
16.根据权利要求8所述一维α-Si3N4纳米材料，其特征在于：步骤（2）中，所述氮化气体为氮气和/或氨气，流量为100～800mL/min，控制气压为常压～1.0MPa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学，未经中国人民解放军国防科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510299826.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
