[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底、栅金属层、有源层、源漏金属层、像素电极层、以及存储电容区域；

在所述存储电容区域，所述栅金属层包括栅金属层存储图案、所述有源层包括有源层存储图案、所述源漏金属层包括源漏金属层存储图案、所述像素电极层包括像素电极层存储图案；

其中，所述栅金属层存储图案、有源层存储图案、源漏金属层存储图案和像素电极层存储图案在所述衬底上的投影至少部分重合，且所述像素电极层存储图案与所述栅金属层存储图案电连接构成存储电容的第一电极，所述有源层存储图案与所述源漏金属层存储图案电连接构成所述存储电容的第二电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述栅金属层和所述有源层之间的栅绝缘层，设置在所述有源层和所述源漏金属层之间的刻蚀阻挡层，以及设置在所述源漏金属层和所述像素电极层之间的钝化层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述存储电容区域，所述像素电极层存储图案通过贯穿所述钝化层、刻蚀阻挡层和栅绝缘层上的第一过孔与所述栅金属层存储图案电连接；

所述源漏金属层存储图案通过贯穿所述刻蚀阻挡层上的第二过孔与所述有源层存储图案电连接。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容区域中的有源层存储图案为通过等离子处理或离子注入后的有源层存储图案。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成栅金属层、有源层、源漏金属层、像素电极层、以及存储电容区域；

其中，在所述存储电容区域，所述栅金属层包括栅金属层存储图案、所述有源层包括有源层存储图案、所述源漏金属层包括源漏金属层存储图案、所述像素电极层包括像素电极层存储图案，所述栅金属层存储图案、有源层存储图案、源漏金属层存储图案和像素电极层存储图案在所述衬底上的投影至少部分重合，且所述像素电极层存储图案与所述栅金属层存储图案电连接构成存储电容的第一电极，所述有源层存储图案与所述源漏金属层存储图案电连接构成所述存储电容的第二电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述栅金属层和所述有源层之间形成栅绝缘层，在所述有源层和所述源漏金属层之间形成刻蚀阻挡层，以及在所述源漏金属层和所述像素电极层之间形成钝化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述刻蚀阻挡层之前，对预形成在所述存储电容区域中的有源层存储图案进行等离子处理或离子注入处理。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述钝化层之后，形成贯穿所述钝化层、刻蚀阻挡层和栅绝缘层的第一过孔，用于使所述存储电容区域的像素电极层存储图案与栅金属层存储图案电连接。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述刻蚀阻挡层之后，在所述刻蚀阻挡层上形成第二过孔，用于使所述存储电容区域的源漏金属层存储图案与所述有源层存储图案电连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。