[发明专利]提高微凸点制备良率的装置及微凸点的制备工艺在审
申请号: | 201510306527.1 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN105006436A | 公开(公告)日: | 2015-10-28 |
发明(设计)人: | 何洪文;曹立强;于大全 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;刘海 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 微凸点 制备 装置 工艺 | ||
1.一种提高微凸点制备良率的装置,其特征是:包括工作箱体(100),工作箱体(100)内部为微凸点制备腔体,工作箱体(100)一侧设置可闭合的上盖(102),在上盖(102)的内侧设有多个红外加热灯管(107),上盖(102)闭合后将微凸点制备腔体形成封闭空间;在所述工作箱体(100)内设置多个用于放置晶圆(1)的柔性托架(103),在晶圆(1)的一侧安装钎料填充头(105),钎料填充头(105)上设有喷嘴,钎料填充头(105)与工作箱体(100)外侧的进料嘴(106)连接。
2.如权利要求1所述的提高微凸点制备良率的装置,其特征是:所述柔性托架(103)包括安装在工作箱体(100)底部安装孔(108)中的支撑杆(109),支撑杆(109)的上部设置托架(110),托架(110)与工作箱体(100)之间设置弹簧(111),托架(110)的上表面为晶圆(1)的支撑面。
3.如权利要求2所述的提高微凸点制备良率的装置,其特征是:在所述工作箱体(100)底部安装孔(108)的边缘设置凸起的围挡部(112),在托架(110)的边缘朝下方设置限位围边(113),限位围边(113)围绕在围挡部(112)的外圈。
4.一种微凸点的制备工艺,其特征是,包括以下工艺步骤:
(1)在晶圆(1)上表面电镀Ti/Cu种子层(2);
(2)在Ti/Cu种子层(2)上涂覆光刻胶(3);
(3)在光刻胶(3)表面制备阻焊层(4);
(4)在光刻胶(3)上制作开口(5),开口(5)由阻焊层(4)延伸至Ti/Cu种子层(2)的上表面;
(5)在光刻胶(3)的开口(5)中电镀铜,得到铜柱(6),铜柱(6)的高度小于开口(5)的深度;
(6)在铜柱(6)的上方填充钎料合金得到钎料合金层(7),钎料合金层(7)的上表面与阻焊层(4)平齐;填充钎料合金时,将加热后融化状况的钎料合金由填充头的进料口进入,再通过填充头的喷嘴向开口(5)处进行填充;同时用红外灯对晶圆进行加热,保持钎料合金处于融化状态;
(7)填充钎料合金后,采用氮气将晶圆表面多余的钎料合金喷除;
(8)将步骤(7)处理后的晶圆上表面的光刻胶(3)剥离,使光刻胶(3)下方的Ti/Cu种子层(2)暴露于表面;
(9)回流操作使钎料合金形成凸点(8);
(10)刻蚀掉步骤(8)处理后暴露于表面的Ti/Cu种子层(2)。
5.如权利要求4所述的微凸点的制备工艺,其特征是:所述Ti/Cu种子层(2)的厚度为100~300nm。
6.如权利要求4所述的微凸点的制备工艺,其特征是:所述阻焊层(4)的厚度为5~20μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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