[发明专利]提高微凸点制备良率的装置及微凸点的制备工艺在审

专利信息
申请号: 201510306527.1 申请日: 2015-06-05
公开(公告)号: CN105006436A 公开(公告)日: 2015-10-28
发明(设计)人: 何洪文;曹立强;于大全 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/67;H01L21/687
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;刘海
地址: 214135 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 提高 微凸点 制备 装置 工艺
【权利要求书】:

1.一种提高微凸点制备良率的装置,其特征是:包括工作箱体(100),工作箱体(100)内部为微凸点制备腔体,工作箱体(100)一侧设置可闭合的上盖(102),在上盖(102)的内侧设有多个红外加热灯管(107),上盖(102)闭合后将微凸点制备腔体形成封闭空间;在所述工作箱体(100)内设置多个用于放置晶圆(1)的柔性托架(103),在晶圆(1)的一侧安装钎料填充头(105),钎料填充头(105)上设有喷嘴,钎料填充头(105)与工作箱体(100)外侧的进料嘴(106)连接。

2.如权利要求1所述的提高微凸点制备良率的装置,其特征是:所述柔性托架(103)包括安装在工作箱体(100)底部安装孔(108)中的支撑杆(109),支撑杆(109)的上部设置托架(110),托架(110)与工作箱体(100)之间设置弹簧(111),托架(110)的上表面为晶圆(1)的支撑面。

3.如权利要求2所述的提高微凸点制备良率的装置,其特征是:在所述工作箱体(100)底部安装孔(108)的边缘设置凸起的围挡部(112),在托架(110)的边缘朝下方设置限位围边(113),限位围边(113)围绕在围挡部(112)的外圈。

4.一种微凸点的制备工艺,其特征是,包括以下工艺步骤:

(1)在晶圆(1)上表面电镀Ti/Cu种子层(2);

(2)在Ti/Cu种子层(2)上涂覆光刻胶(3);

(3)在光刻胶(3)表面制备阻焊层(4);

(4)在光刻胶(3)上制作开口(5),开口(5)由阻焊层(4)延伸至Ti/Cu种子层(2)的上表面;

(5)在光刻胶(3)的开口(5)中电镀铜,得到铜柱(6),铜柱(6)的高度小于开口(5)的深度;

(6)在铜柱(6)的上方填充钎料合金得到钎料合金层(7),钎料合金层(7)的上表面与阻焊层(4)平齐;填充钎料合金时,将加热后融化状况的钎料合金由填充头的进料口进入,再通过填充头的喷嘴向开口(5)处进行填充;同时用红外灯对晶圆进行加热,保持钎料合金处于融化状态;

(7)填充钎料合金后,采用氮气将晶圆表面多余的钎料合金喷除;

(8)将步骤(7)处理后的晶圆上表面的光刻胶(3)剥离,使光刻胶(3)下方的Ti/Cu种子层(2)暴露于表面;

(9)回流操作使钎料合金形成凸点(8);

(10)刻蚀掉步骤(8)处理后暴露于表面的Ti/Cu种子层(2)。

5.如权利要求4所述的微凸点的制备工艺,其特征是:所述Ti/Cu种子层(2)的厚度为100~300nm。

6.如权利要求4所述的微凸点的制备工艺,其特征是:所述阻焊层(4)的厚度为5~20μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510306527.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top