[发明专利]一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法有效
申请号: | 201510307155.4 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN104992905B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 王浩敏;谢红;贺立;王慧山;陈令修;李蕾;吴天如;张道礼;谢晓明;江绵恒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 衬底 表面 台阶 刻蚀 方法 | ||
1.一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:提供一六角氮化硼衬底;
S2:在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层,并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形;
S3:在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积金属层;
S4:剥离所述掩膜层及其表面的金属层;
S5:对所述六角氮化硼衬底进行退火,然后去除所述预设刻蚀图形内的金属层,在所述六角氮化硼衬底表面得到单层氮化硼原子厚度的台阶。
2.根据权利要求1所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:所述掩膜层包括光刻胶或硬性掩膜版。
3.根据权利要求2所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:在所述掩膜层中形成所述预设刻蚀图形的过程中,采用紫外曝光法、电子束曝光法、X射线曝光法、离子束曝光法或纳米压印法在所述掩膜层中形成所述预设刻蚀图形的光刻图形。
4.根据权利要求1所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:所述金属层为单质金属Ni、Al、Zn、Mg、Fe、Sn、Pb或Co,或所述金属层为所述单质金属的合金。
5.根据权利要求1所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:所述金属层的厚度为2~100nm。
6.根据权利要求1所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:沉积所述金属层的方法为电子束蒸发法、溅射法、离子辅助沉积法或脉冲激光沉积法。
7.根据权利要求1所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:所述退火的气氛为Ar/H2混合气体,气体流量比为200:100~200:20,退火温度范围是200~1000℃,退火时间为2~8小时。
8.根据权利要求1所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:采用湿法腐蚀去除所述预设刻蚀图形内的金属层。
9.根据权利要求8所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:所述湿法腐蚀采用HCl、(NH4)2S2O8、HNO3、H2SO4或乙酸溶液。
10.根据权利要求9所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:所述溶液的浓度为0.01~0.2mol/L,湿法腐蚀浸泡时间为1min~10hour。
11.根据权利要求1所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:所述六角氮化硼衬底采用机械剥离或化学气相沉积法得到。
12.根据权利要求1~11任意一项所述的氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法,其特征在于:于所述步骤S5之后,重复所述步骤S2~S5至少一次,在所述氮化硼衬底表面得到预设厚度的台阶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造