[发明专利]细节距铜柱微凸点制备工艺在审
| 申请号： | 201510307277.3 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105023854A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 何洪文;于大全;孙鹏;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 细节 距铜柱微凸点 制备 工艺 | ||
1.一种细节距铜柱微凸点制备工艺，其特征是，包括以下步骤：
（1）在晶圆（1）表面电镀Ti/Cu种子层（2）；
（2）在Ti/Cu种子层（2）表面沉积设定厚度的铜层（3）；
（3）在铜层（3）表面制备钎料层（4）；
（4）在钎料层（4）表面涂覆光刻胶层（5）；
（5）在光刻胶层（5）上进行开口工艺，形成开口（6），开口（6）由光刻胶层（5）的上表面延伸至光刻胶层（5）的下表面；制作开口（6）后所保留的光刻胶层（5）的大小、数量、分布与所需制备的铜柱的大小、数量、分布相一致；
（6）在开口（6）处进行刻蚀，将开口（6）下方的钎料层（4）、铜层（3）和Ti/Cu种子层（2）刻蚀掉，露出晶圆（1）的上表面；
（7）剥离残留的光刻胶层（5）；
（8）进行回流工艺，在铜层（3）上形成铜柱微凸点。
2.如权利要求1所述的细节距铜柱微凸点制备工艺，其特征是：所述Ti/Cu种子层（2）的厚度为100～300nm。
3.如权利要求1所述的细节距铜柱微凸点制备工艺，其特征是：所述钎料层（4）的厚度为10～100μm。
4.如权利要求1所述的细节距铜柱微凸点制备工艺，其特征是：所述钎料层（4）的材料为SnPb、SnAg、SnAgCu、SnBi或者添加合金元素的三元或多元钎料。
5.如权利要求1所述的细节距铜柱微凸点制备工艺，其特征是：所述细节距铜柱微凸点的节距为20～100μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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