[发明专利]用RF等离子体循环和清洗去除处理室颗粒的系统和方法

权利要求书

1.一种操作衬底处理系统的方法，该方法包括：

a)处理布置在处理室内的衬底支撑件上的衬底，其中，在所述处理期间供应前体气体和/或反应气体中的至少一种；

b)从所述处理室移除所述衬底；

c)选择性地供应运载气体和清洗气体到所述处理室；

d)在N个循环期间在所述处理室内生成射频等离子体，其中，N是大于1的整数，其中，所述N个循环包括交替的第一时间段和第二时间段，并且其中在所述N个循环中的每个循环期间，所述射频等离子体开通持续所述第一时间段并且关闭持续所述第二时间段；以及

e)在所述射频等离子体的所述N个循环中的每个循环的至少部分期间供应所述清洗气体，使得(i)当所述射频等离子体开通时在所述第一时间段期间不供应所述清洗气体，以及(ii)当所述射频等离子体关闭时在所述第二时段期间供应所述清洗气体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述(c)、(d)或者(e)期间不供应所述前体气体和/或所述反应气体中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，(a)包括使用射频等离子体来沉积膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，(a)包括原子层沉积和化学气相沉积中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述原子层沉积和化学气相沉积中的一种使用射频等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述N个循环的每个循环的占空比介于25％和75％之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在(d)和(e)期间执行(c)。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述N个循环中的每个循环具有介于1秒和5秒之间的持续时间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，N大于或者等于100并且小于或者等于5000。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述N个循环的占空比和/或所述N个循环的持续时间中的至少一个在所述N个循环期间是变化的。

11.一种衬底处理系统，其包括：

处理室，其包括在处理期间支撑衬底的衬底支撑件；

气体供应件，其在所述处理期间选择性地供应运载气体、清洗气体、以及选自包括前体气体和反应气体的组中的至少一种气体；

射频等离子体发生器，用于在所述处理室中选择性地生成射频等离子体；以及

控制器，其与所述气体供应件和所述射频等离子体发生器通信，并且其被配置以：

a)在从所述处理室移除所述衬底之后，供应所述运载气体到所述处理室；

b)在N个循环期间在所述处理室内生成射频等离子体，其中N是大于1的整数，其中，所述N个循环包括交替的第一时间段和第二时间段，并且其中在所述N个循环期间，所述射频等离子体开通持续所述第一时间段并且关闭持续所述第二时间段；

c)当所述射频等离子体开通时在所述N个循环中的所述第一时间段期间内不供应所述清洗气体；以及

d)当所述射频等离子体关闭时在所述N个循环中的所述第二时间段期间供应所述清洗气体。

12.根据权利要求11所述的衬底处理系统，其中，所述控制器被配置以在所述(a)、(b)、(c)或者(d)期间不供应选自所述组中的所述至少一种气体。

13.根据权利要求11所述的衬底处理系统，其中，所述衬底处理系统使用射频等离子体来沉积膜。

14.根据权利要求11所述的衬底处理系统，其中，所述衬底处理系统执行原子层沉积和化学气相沉积中的一种。