[发明专利]将趋肤效应等效电路模型嵌入电路仿真器的方法在审
申请号: | 201510308864.4 | 申请日: | 2015-06-07 |
公开(公告)号: | CN104866685A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 范象泉 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 趋肤效应 等效电路 模型 嵌入 电路 仿真器 方法 | ||
1.一种将趋肤效应等效电路模型嵌入电路仿真器的方法,其特征在于包括:
初始步骤:建立电路中导体的趋肤效应等效电路模型以及模型计算公式;
第一步骤:在电路仿真器中计算导体的直流电阻以及导体的低频电感;
第二步骤:根据电路的实际应用确定最大频率;
第三步骤:在电路仿真器中计算电阻系数αR和电感系数αL;
第四步骤:在电路仿真器中计算第一比例系数RR;
第五步骤:在电路仿真器中计算第二比例系数LL;
第六步骤:在电路仿真器中计算三个电感以及四个电阻的数值。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,趋肤效应等效电路模型包括:依次串联的三个电感L1、L2和L3以及布置在所述三个电感器之间的四个电阻R1、R2、R3和R4,其中四个电阻的一端连接在一起,并且四个电阻的另一端分别连接在三个电感两侧;电感L1、L2和L3以及电阻R1、R2、R3和R4满足:
Ri/Ri+1=RR,i=1,2,3 (1)
Li/Li+1=LL,i=1,2 (2)
R1=αR·Rdc (3)
L1=Lif/αL (4)
(RR)3+(RR)2+RR+(1-αR)=0 (5)
其中,RR是第一比例系数;LL是第二比例系数;Rdc是直流电阻,可以由导体电阻率以及导体几何尺寸计算得到;Llf是导体的低频电感,可以由导体几何尺寸计算得到;αR是电阻系数,αL是电感系数;
对于最大频率Fmax,趋肤深度为:
其中,ωmax是最大角频率,即
μ0是真空磁导率;σ是导体电阻率;r是导体的等效半径;
针对圆形界面导体,选择电阻系数αR和电感系数αL:
αL=0.315αR (9)。
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