[发明专利]将趋肤效应等效电路模型嵌入电路仿真器的方法在审

专利信息
申请号: 201510308864.4 申请日: 2015-06-07
公开(公告)号: CN104866685A 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 范象泉 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 趋肤效应 等效电路 模型 嵌入 电路 仿真器 方法
【权利要求书】:

1.一种将趋肤效应等效电路模型嵌入电路仿真器的方法,其特征在于包括:

初始步骤:建立电路中导体的趋肤效应等效电路模型以及模型计算公式;

第一步骤:在电路仿真器中计算导体的直流电阻以及导体的低频电感;

第二步骤:根据电路的实际应用确定最大频率;

第三步骤:在电路仿真器中计算电阻系数αR和电感系数αL

第四步骤:在电路仿真器中计算第一比例系数RR;

第五步骤:在电路仿真器中计算第二比例系数LL;

第六步骤:在电路仿真器中计算三个电感以及四个电阻的数值。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,趋肤效应等效电路模型包括:依次串联的三个电感L1、L2和L3以及布置在所述三个电感器之间的四个电阻R1、R2、R3和R4,其中四个电阻的一端连接在一起,并且四个电阻的另一端分别连接在三个电感两侧;电感L1、L2和L3以及电阻R1、R2、R3和R4满足:

Ri/Ri+1=RR,i=1,2,3   (1)

Li/Li+1=LL,i=1,2   (2)

R1=αR·Rdc   (3)

L1=LifL   (4)

(RR)3+(RR)2+RR+(1-αR)=0   (5)

(1LL)2+(1+1RR)2·1LL+((1RR)2+1RR+1)2-αL((1+1RR)·((1RR)2+1))2=0---(6)]]>

其中,RR是第一比例系数;LL是第二比例系数;Rdc是直流电阻,可以由导体电阻率以及导体几何尺寸计算得到;Llf是导体的低频电感,可以由导体几何尺寸计算得到;αR是电阻系数,αL是电感系数;

对于最大频率Fmax,趋肤深度为:

δ=2/(ωmaxμ0σ)---(7)]]>

其中,ωmax是最大角频率,即

ωmax=2π*Fmax;]]>

μ0是真空磁导率;σ是导体电阻率;r是导体的等效半径;

针对圆形界面导体,选择电阻系数αR和电感系数αL

αR=0.53rδ---(8)]]>

αL=0.315αR   (9)。

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