[发明专利]带扩张装置在审
申请号: | 201510308985.9 | 申请日: | 2015-06-08 |
公开(公告)号: | CN105321865A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 服部笃;武藤荣 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩张 装置 | ||
技术领域
本发明涉及使扩展带等扩张的带扩张装置。
背景技术
对表面形成有多个器件的晶片例如沿着分割预定线(间隔道)进行切削或激光加工,分割为与各器件相对应的多个器件芯片。为了将该器件芯片与别的器件芯片等重叠并固定,存在在器件芯片的背面侧设置固定用的粘接层的情况。
通过使设置在背面侧的粘接层紧密贴合于固定对象物,并施加热或光等外部刺激,由此使粘接层硬化从而能够固定器件芯片。作为粘接层,例如使用被称作粘片膜(DAF:DieAttachFilm)等的芯片焊接用的膜状粘接剂。
该膜状粘接剂形成为覆盖晶片的整个背面的尺寸,并且粘贴于分割前的晶片的背面上。将膜状粘接剂粘贴于晶片的背面后,将该膜状粘接剂与晶片一起切断,由此能够形成在背面侧具备粘接层的器件芯片。
但是,当采用对晶片不进行全切割的DBG(DicingBeforeGrinding:先划出减薄法)、或者使激光光线聚光于晶片的内部而形成基于多光子吸收的改性层的SDBG(StealthDicingBeforeGrinding:隐形先划出减薄法)等加工方法时,无法恰当地将膜状粘接剂与晶片一起分割的可能性变大。
因此,提出有将膜状粘接剂粘贴在扩展带上并在充分冷却之后对扩展带进行扩张的膜状粘接剂的断裂方法(例如参照专利文献1)。在该断裂方法中,由于通过冷却使膜状粘接剂的伸缩性降低,因此,仅通过使扩展带扩张就能够容易地使膜状粘接剂断裂。
专利文献1:日本特开2007-27250号公报
可是,在上述的断裂方法中,例如发生了这样的现象:如果过分冷却膜状粘接剂,则反而无法恰当地断裂。
发明内容
本发明是鉴于所述问题点而完成的,其目的在于提供能够一种使膜状粘接剂恰当地断裂的带扩张装置。
根据本发明,提供一种带扩张装置,所述带扩张装置使粘贴在晶片的背面上的膜状粘接剂,在粘贴于安装在环状框架的开口中的扩展带上的状态下沿着分割预定线断裂,所述晶片在正面上形成有多个该分割预定线,所述带扩张装置的特征在于,所述带扩张装置具备:框架保持构件,其保持该环状框架;带扩张构件,其使该扩展带扩张;冷气供给构件,其将冷气供给至进行断裂的空间中;以及温度测量构件,其对被冷却的该扩展带或晶片的温度进行测量。
在本发明中,优选的是:所述温度测量构件是以非接触的方式测量对象物的温度的非接触温度测量器。
由于本发明的带扩张装置具备用于测量扩展带或晶片的温度的温度测量构件,因此,在确认到扩展带或晶片变为适合膜状粘接剂的断裂的温度后,使扩展带扩张,从而能够使膜状粘接剂断裂。
即,不会在膜状粘接剂的冷却不充分的状态、或膜状粘接剂被过度冷却的状态下使扩展带扩张,因此,能够降低膜状粘接剂的断裂不良的情况。这样,根据本发明,能够提供可使膜状粘接剂恰当地断裂的带扩张装置。
附图说明
图1是示意性地示出粘贴在扩展带上的膜状粘接剂和晶片的立体图。
图2是示意地示出带扩张装置的外观的立体图。
图3是示意地示出带扩张装置的结构的分解立体图。
图4的(A)是示意地示出冷却步骤的局部侧剖视图,图4的(B)是示意地示出扩张断裂步骤的局部侧剖视图。
标号说明
2:带扩张装置;
4:框体;
6:壳体;
8:罩;
10:挡板;
12:基座;
14:扩张滚筒;
16:升降机构(带扩张构件);
18:气缸壳;
20:活塞杆;
22:工作台(框架保持构件);
22a:开口;
24:板(框架保持构件);
24a:开口;
26:加热冷却机构;
28:引导结构;
30:加热器;
32:冷气供给管(冷气供给构件);
34:非接触温度测量器(温度测量构件);
36:接触温度测量器;
11:晶片;
11a:正面;
11b:背面;
13:分割预定线(间隔道);
15:器件;
17:器件芯片;
21:膜状粘接剂;
23:扩展带;
25:环状框架。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造