[发明专利]一种受激布里渊散射效应增强型光纤有效
申请号: | 201510308995.2 | 申请日: | 2015-06-08 |
公开(公告)号: | CN104865637B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 柯昌剑;郭臻;潘登;刘德明 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G02B6/036 | 分类号: | G02B6/036;G02B6/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人: | 赵伟 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 布里渊散射 效应 增强 光纤 | ||
1.一种受激布里渊散射效应增强型光纤,其特征在于,包括纤芯和围绕纤芯的包层;
所述纤芯半径a为1μm~7μm;所述光纤纤芯掺杂为GeO2、P2O5和Al2O3中的一种,包层掺杂为F;
所述纤芯折射率与包层折射率之差Δn与纤芯半径a之间的关系为:0<a2Δn≤0.120μm2,所述纤芯声速率与包层声速率之差ΔVl与纤芯半径a之间的关系为:0<a2ΔVl≤225μm2·m/s,以在光纤中同时激励产生单光模和单声模束缚,所述单光模和单声模在光纤里耦合形成单个增益峰的布里渊增益谱。
2.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述纤芯半径a为3μm~7μm;所述纤芯掺杂GeO2,包层掺杂F;
所述纤芯GeO2掺杂浓度与纤芯半径a之间的关系为:所述包层F掺杂浓度ωF与纤芯半径a以及纤芯GeO2掺杂浓度之间的关系为:
3.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述纤芯半径a为1μm~3μm;所述纤芯掺杂GeO2,包层掺杂F;
所述纤芯GeO2掺杂浓度与纤芯半径a之间的关系为:所述包层F掺杂浓度ωF与纤芯半径a以及纤芯GeO2掺杂浓度之间的关系为:
4.如权利要求3所述光纤,其特征在于,所述纤芯GeO2掺杂浓度为:
5.如权利要求3所述的光纤,其特征在于,所述包层包括内包层和外包层;所述内包层包覆纤芯,外包层包覆内包层;
所述纤芯半径a为1.5μm~3μm,所述内包层外径b与纤芯半径a之间的关系为:b=(1.6±0.05)a;
所述纤芯与外包层之间的折射率差Δn与纤芯半径的a之间的关系为:0<a2Δn≤0.120μm2;纤芯与外包层之间的声速率差ΔVl与纤芯半径a之间的关系为:0<a2ΔVl≤225μm2·m/s;
所述内包层折射率n1与外包层折射率n2之间的关系为:0<n2-n1<0.007;所述内包层声速率vl1与纤芯声速率vl以及纤芯半径a之间的关系为:0<a2(vl1-vl)≤225μm2·m/s。
6.如权利要求5所述的光纤,其特征在于,所述纤芯掺杂GeO2,内包层与外包层均掺杂F;
所述纤芯GeO2掺杂浓度与纤芯半径a之间的关系为:
外包层F掺杂浓度ωF外与纤芯GeO2掺杂浓度之间的关系为:
所述内包层F掺杂浓度ωF内与外包层掺杂浓度及纤芯GeO2掺杂浓度之间的关系分别为:ωF内≤ωF外+1.4549,
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