[发明专利]一种受激布里渊散射效应增强型光纤有效

专利信息
申请号: 201510308995.2 申请日: 2015-06-08
公开(公告)号: CN104865637B 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 柯昌剑;郭臻;潘登;刘德明 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G02B6/036 分类号: G02B6/036;G02B6/02
代理公司: 华中科技大学专利中心42201 代理人: 赵伟
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 布里渊散射 效应 增强 光纤
【权利要求书】:

1.一种受激布里渊散射效应增强型光纤,其特征在于,包括纤芯和围绕纤芯的包层;

所述纤芯半径a为1μm~7μm;所述光纤纤芯掺杂为GeO2、P2O5和Al2O3中的一种,包层掺杂为F;

所述纤芯折射率与包层折射率之差Δn与纤芯半径a之间的关系为:0<a2Δn≤0.120μm2,所述纤芯声速率与包层声速率之差ΔVl与纤芯半径a之间的关系为:0<a2ΔVl≤225μm2·m/s,以在光纤中同时激励产生单光模和单声模束缚,所述单光模和单声模在光纤里耦合形成单个增益峰的布里渊增益谱。

2.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述纤芯半径a为3μm~7μm;所述纤芯掺杂GeO2,包层掺杂F;

所述纤芯GeO2掺杂浓度与纤芯半径a之间的关系为:所述包层F掺杂浓度ωF与纤芯半径a以及纤芯GeO2掺杂浓度之间的关系为:

3.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述纤芯半径a为1μm~3μm;所述纤芯掺杂GeO2,包层掺杂F;

所述纤芯GeO2掺杂浓度与纤芯半径a之间的关系为:所述包层F掺杂浓度ωF与纤芯半径a以及纤芯GeO2掺杂浓度之间的关系为:

4.如权利要求3所述光纤,其特征在于,所述纤芯GeO2掺杂浓度为:

5.如权利要求3所述的光纤,其特征在于,所述包层包括内包层和外包层;所述内包层包覆纤芯,外包层包覆内包层;

所述纤芯半径a为1.5μm~3μm,所述内包层外径b与纤芯半径a之间的关系为:b=(1.6±0.05)a;

所述纤芯与外包层之间的折射率差Δn与纤芯半径的a之间的关系为:0<a2Δn≤0.120μm2;纤芯与外包层之间的声速率差ΔVl与纤芯半径a之间的关系为:0<a2ΔVl≤225μm2·m/s;

所述内包层折射率n1与外包层折射率n2之间的关系为:0<n2-n1<0.007;所述内包层声速率vl1与纤芯声速率vl以及纤芯半径a之间的关系为:0<a2(vl1-vl)≤225μm2·m/s。

6.如权利要求5所述的光纤,其特征在于,所述纤芯掺杂GeO2,内包层与外包层均掺杂F;

所述纤芯GeO2掺杂浓度与纤芯半径a之间的关系为:

外包层F掺杂浓度ωF外与纤芯GeO2掺杂浓度之间的关系为:

所述内包层F掺杂浓度ωF内与外包层掺杂浓度及纤芯GeO2掺杂浓度之间的关系分别为:ωF内≤ωF外+1.4549,

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