[发明专利]实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法

权利要求书

1.一种实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法，其特征在于包括：

在硅晶圆内形成硅基器件和光电二极管，并且在硅晶圆表面上形成用于键合的铝金属键合图案；

在光子器件晶圆中形成光子器件，在光子器件晶圆的第一侧表面上形成用于键合的锗金属键合图案，在光子器件晶圆的第二侧表面上形成封装层；

使得硅晶圆的铝金属键合图案和光子器件晶圆的锗金属键合图案接触并执行键合处理，从而形成铝锗共晶键合；

对硅晶圆的与形成铝金属键合图案的一侧相对的一侧进行减薄，以露出光电二极管，而且对光子器件晶圆的第二侧表面上的封装层进行图案化，以露出光子器件；

将减薄和图案化之后的硅晶圆和光子器件晶圆的组合布置在第一基板和第二基板之间，其中第一基板上具有与光电二极管相对应的用于输入光的开口，而且第二基板上具有与光子器件相对应的用于输出光的开口。

2.根据权利要求1所述的键合方法，其特征在于，锗金属键合图案中的至少一部分通过通孔连接至光子器件，锗金属键合图案中的至少另一部分通过通孔连接至封装层。

3.根据权利要求2所述的键合方法，其特征在于，锗金属键合图案中的所述至少一部分与锗金属键合图案中的所述至少另一部分不重复。

4.根据权利要求1至3之一所述的键合方法，其特征在于，所述光子器件是激光二极管。

5.根据权利要求1至3之一所述的键合方法，其特征在于，所述硅基器件是调制器。

6.根据权利要求1至3之一所述的键合方法，其特征在于，通过研磨对硅晶圆的与形成铝金属键合图案的一侧相对的一侧进行减薄。

7.根据权利要求1或2所述的键合方法，其特征在于，通过刻蚀对光子器件晶圆的第二侧表面上的封装层进行图案化。