[发明专利]一种锗层及半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201510309045.1 | 申请日： | 2015-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN104867822B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 赵波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种锗层的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，并根据预制作的锗层总厚度将锗层的总沉积工艺分解成连续的多步锗薄层沉积工艺；
按照每步锗薄层沉积工艺的工艺参数，在所述衬底上依次物理气相沉积各个锗薄层，并在某步锗薄层沉积后，对沉积所用的靶材表面进行气体吹拂，其中，沉积形成的所有锗薄层在所述衬底上的厚度之和为所述锗层总厚度。
2.如权利要求1所述的锗层的制作方法，其特征在于，在所述衬底上依次沉积各个锗薄层的过程中，在每步锗薄层沉积工艺后，均对沉积所用的靶材表面进行气体吹拂。
3.如权利要求1所述的锗层的制作方法，其特征在于，每步锗薄层沉积工艺的工艺时间为30s～40s。
4.如权利要求1至3中任一项所述的锗层的制作方法，其特征在于，所述气体吹拂的工艺时间大于20s。
5.如权利要求4所述的锗层的制作方法，其特征在于，所述气体吹拂采用的气体包括氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氮气和氢气中的至少一种。
6.如权利要求1至3中任一项所述的锗层的制作方法，其特征在于，所述气体吹拂的工作压力大于20mTorr。
7.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括权利要求1至6中任一项所述的锗层的制作方法。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供需键合的两片晶圆；
采用权利要求1至6中任一项所述的锗层的制作方法，在一片晶圆的表面上物理气相沉积形成一定厚度的锗层，刻蚀所述锗层以形成带有键合图形的键合锗层；
采用铝溅射工艺在另一片晶圆上形成铝层，刻蚀所述铝层以形成带有键合图形的键合铝层；
采用晶圆锗铝共熔键合工艺，将所述键合锗层与所述键合铝层对正并键合在一起，进而形成包含两片晶圆的半导体器件。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，用于形成所述锗层的晶圆为MEMS晶圆，用于形成所述铝层的晶圆为ASIC晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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