[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法在审
申请号: | 201510309392.4 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN104882452A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 蔡振飞;方娟;魏晓梅;陈敏 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 230011 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括交叉设置的一组数据线和一组栅线,以及位于所述阵列基板周边区域的第一短路环和第二短路环,所述第一短路环与所述一组数据线同层设置,所述第二短路环与所述一组栅线同层设置;所述一组数据线中,相邻的两根所述数据线分别连接所述第一短路环和所述第二短路环,其特征在于,所述第二短路环与对应的所述数据线的连接结构包括:
位于衬底基板之上的第一透明电极;
位于所述第一透明电极之上的栅连接线;
位于所述第一透明电极和所述栅连接线之上的第一绝缘层,与第二短路环连接的数据线位于所述第一绝缘层之上;
位于所述与第二短路环连接的数据线之上的第二绝缘层,所述第二绝缘层在所述与第二短路环连接的数据线上方具有第一过孔;所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第一透明电极的上方具有第二过孔;
位于所述第二绝缘层之上的第二透明电极,所述第二透明电极通过所述第一过孔与所述与第二短路环连接的数据线连接,并通过所述第二过孔与所述第一透明电极连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一短路环连接奇数序列的所述数据线,所述第二短路环连接偶数序列的所述数据线;或者
所述第一短路环连接偶数序列的所述数据线,所述第二短路环连接奇数序列的所述数据线。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为高级超维场转换模式阵列基板,所述第一透明电极与所述阵列基板的板状电极同层设置,所述第二透明电极与所述阵列基板的狭缝状电极同层设置。
4.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~3任一项所述的阵列基板。
5.一种所述阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在衬底基板之上形成第一透明电极、栅连接线和第二短路环,其中,所述栅连接线位于所述第一透明电极之上,栅连接线与第二短路环连接,且栅连接线与第一透明电极上表面搭接;
在所述栅连接线和所述第二短路环的层结构之上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层之上形成数据线和第一短路环,其中奇数序列的所述数据线或偶数序列的所述数据线连接所述第一短路环;
在所述数据线和所述第一短路环的层结构之上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层在未与所述第一短路环连接的所述数据线上方具有第一过孔;所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第一透明电极的上方具有第二过孔;
在所述第二绝缘层之上形成第二透明电极,所述第二透明电极通过所述第一过孔与对应的所述数据线连接,通过所述第二过孔与所述第一透明电极连接。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在形成所述第一透明电极时,形成与所述第一透明电极同层设置的板状电极;
在形成所述栅连接线和所述第二短路环时,形成与所述栅连接线和所述第二短路环同层设置的栅线;
在形成所述第一绝缘层之后,在所述第一绝缘层之上形成半导体层;
在形成所述第二透明电极时,形成与所述第二透明电极同层设置的狭缝状电极。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述衬底基板之上形成所述第一透明电极、所述栅连接线和所述第二短路环,包括:
通过半掩模构图工艺形成所述第一透明电极、所述栅连接线和所述第二短路环。
8.如权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述第一绝缘层之上形成所述半导体层、所述数据线和所述第一短路环,包括:
通过半掩模构图工艺形成所述半导体层、所述数据线和所述第一短路环。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的