[发明专利]基于耦合腔的单模高速调制法布里‑珀罗半导体激光器

权利要求书

1.一种基于耦合腔的单模高速调制法布里-珀罗半导体激光器，包括：

一管芯，该管芯为一叠层结构，包括：

一下电极；

一下接触层，其制作在下电极上；

一N型衬底，其制作在下接触层上；

在N型衬底上分为两部分，一是为法布里-珀罗型微腔，二是为回音壁型微腔，该法布里-珀罗型微腔制作在N型衬底上，其一端与N型衬底的一端齐平，该回音壁型微腔制作在N型衬底上，位于法布里-珀罗型微腔的另一端；

该法布里-珀罗型微腔和回音壁型微腔的层叠结构相同，包括：

一N型限制层，其制作在N型衬底上；

一有源层，其制作在N型限制层上；

一P型限制层，其制作在有源层上；

一P型盖层，其制作在P型限制层上；

一上接触层，其制作在P型盖层上；

一上电极，其制作在上接触层上。

2.根据权利要求1所述的基于耦合腔的单模高速调制法布里-珀罗半导体激光器，其中该法布里-珀罗型微腔和回音壁型微腔为直接相连或存在间隙，间隙的距离为0至1.5微米。

3.根据权利要求2所述的基于耦合腔的单模高速调制法布里-珀罗半导体激光器，其中所述该法布里-珀罗型微腔为条状结构，其长度为20微米至1毫米，宽度为0.3微米至10微米。

4.根据权利要求2所述的基于耦合腔的单模高速调制法布里-珀罗半导体激光器，其中所述该回音壁型微腔的形状为圆盘型、圆环形、多边形或椭圆形。

5.根据权利要求4所述的基于耦合腔的单模高速调制法布里- 珀罗半导体激光器，其中回音壁型微腔中心到边缘的半径尺寸为1微米至50微米。

6.根据权利要求1所述的基于耦合腔的单模高速调制法布里- 珀罗半导体激光器，所述有源层的结构为体材料、量子阱、量子线或量子点，采用的材料为III-V族半导体材料。