[发明专利]二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法

权利要求书

1.二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，包括以下步骤：

(1)TiS₂粉末加入分散剂中，经过超声得到悬浮液，离心分离，收集上层分散液，除去大颗粒后进行搅拌，制得TiS₂ QDs/TiS₂纳米片复合物悬浊液，将复合物悬浊液离心，收集上层分散液即为TiS₂ QDs，下层沉淀物即为TiS₂纳米片；

(2)向所述TiS₂ QDs中加入磷酸盐缓冲液，常温下搅拌，加入寡合脱氧核苷酸孵化，除去未反应的TiS₂ QDs后，制得ODN表面修饰的TiS₂ QDs；

(3)将ODN表面修饰的TiS₂ QDs与TiS₂纳米片混合，用磷酸盐缓冲液稀释，孵化，测量体系的荧光强度，然后加入Hg²⁺孵化，再测量体系的荧光强度，拟合体系荧光强度与Hg²⁺浓度间的线性方程，构建基于二硫化钛纳米片/量子点复合物的Hg²⁺荧光探针。

2.根据权利要求1所述的二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，其特征在于：步骤(1)中，每毫升分散剂中加入的TiS₂粉末的质量为1～10mg。

3.根据权利要求2所述的二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，其特征在于：步骤(1)中，所述分散剂为N-甲基吡咯烷酮或N,N-二甲基甲酰胺。

4.根据权利要求1所述的二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，其特征在于：步骤(1)中，所述悬浮液是由超声处理得到，超声处理的时间为1～6h。

5.根据权利要求1所述的二硫化钛纳米片/量子点复合物的汞离子荧光探针的制法，其特征在于：步骤(1)中，所述搅拌的温度为20～150℃，搅拌的时间为1～12h。

6.根据权利要求1所述的二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，其特征在于：步骤(2)中，所述搅拌的时间为10～60min。

7.根据权利要求1所述的二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，其特征在于：步骤(2)中，所述的磷酸缓冲液调节体系的pH为7.0～12.0，TiS₂ QDs与ODN的摩尔比为1-2:3-4。

8.根据权利要求1所述的二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，其特征在于：步骤(2)中，所述未反应的TiS₂ QDs是通过透析除去的。

9.根据权利要求1所述的二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，其特征在于：步骤(3)中，所述的ODN修饰的TiS₂ QDs与TiS₂纳米片质量比为1：1～10。

10.根据权利要求1所述的二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，其特征在于：步骤(3)中，所述磷酸盐缓冲液将所述混合液稀释的倍数为2～15倍。