[发明专利]L10‑FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510309893.2 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104947057B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 全志勇;宋智林;许小红;刘霞;武彪;张丽 | 申请（专利权）人： | 山西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;H01L43/10;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 041004 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | l1 sub fept 基多 层膜宽场 线性 磁电 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.L10-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器，其特征在于，所述传感器由基片、沉积于基片上的底层、磁性多层膜和保护层构成，基片为单晶MgO(001)，底层为Pt，磁性层为FePt/Cu/Fe，保护层为Pt。
2.L10-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在磁控共溅室中安装纯度为99.98％的Fe靶、Pt靶和Cu靶，同时调节Fe靶、Pt靶和Cu靶的靶基距分别为15.3cm、16.0cm、14.0cm；
S2、将尺寸为1×1cm2的单晶MgO(001)装入共溅室，本底真空抽至8.0×10-5Pa，对单晶MgO(001)基片进行在线加温，加热至450℃，保温20min；
S3、通入Ar气，使工作气压保持在5-6Pa，当各工作靶位正常起辉后，将除Pt之外的其他靶灭辉，调节Ar气的工作气压至2.0Pa，Pt靶的直流溅射功率为10W，在此条件下溅射276s，沉积4nm的Pt底层；
S4、将Fe靶起辉，并将Fe靶的直流溅射功率调至35W，通过Pt靶与Fe靶同时溅射656s，沉积20nm的FePt后，将Fe靶和Pt靶灭辉；
S5、将步骤S3和步骤S4所得的两层薄膜在450℃下在线保温2个小时后，将加热电流调为零，开始降温，降到室温后，调节Ar气的工作气压为1.2Pa，Cu靶直流溅射功率为20w，溅射125s，沉积5nm的隔离层Cu后，将Cu靶灭辉；
S6、再次将Fe靶起辉，调节Ar气的工作气压至2.0Pa，直流溅射功率至35W，溅射625s，沉积10nm的自由层Fe；将Fe靶灭辉后，再次将Pt靶起辉，在Ar气的工作气压不变的情况下，将Pt靶的直流溅射功率调至10W，在此条件下溅射345s，沉积5nm的保护层Pt后，将Pt靶灭辉，得到结构为MgO/Pt(4nm)/FePt(20nm)/Cu(5nm)/Fe(10nm)/Pt(5nm)的L10-FePt基多层膜。
3.根据权利要求2所述的L10-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中Pt的溅射速率为0.0145nm/s。
4.根据权利要求2所述的L10-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中Fe的溅射速率为0.0160nm/s，Pt的溅射速率为0.0145nm/s，所以FePt的溅射速率为0.0305nm/s。
5.根据权利要求2所述的L10-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中Cu的溅射速率为0.0399nm/s。
6.根据权利要求2所述的L10-FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器的制备方法，其特征在于，所有膜的沉积都是在Ar气流量为40sccm的条件下进行的。
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