[发明专利]一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料，其特征在于，其化学组成式分别为：BaAgSbS₃，BaAgSbS₃·H₂O，其中所述BaAgSbS₃属于单斜晶系，C2/c空间群，晶胞参数a=9.3675(7)?，b=7.9328(5)?，c=17.2651(12)?，α=90°，β=101.734°，γ=90°，V=1256.17(15)?³，Z=8，D_c=4.898g/cm³，单晶体为橙红色块状，能隙为2.21eV；BaAgSbS₃·H₂O属于正交晶系，Pan2空间群，晶胞参数a=18.8527(7)?，b=8.8232(3)?，c=8.6649(3)?，α=90°，β=90°，γ=90°，V=1441.33(9)?³，Z=8，D_c=4.435g/cm³，单晶体为黄色片状，能隙为2.43eV。

2.一种如权利要求1所述的四元硫代锑酸盐化合物半导体材料的制备方法，其特征在于将摩尔比为1.0：0.4-1.0：0.2：2.0-3.0的水合氢氧化钡、金属银、二元固溶体硫化锑和单质硫混合，加入3-5mL水合肼，在160℃烘箱中反应7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到BaAgSbS₃。

3.一种如权利要求1所述的四元硫代锑酸盐化合物半导体材料的制备方法，其特征在于将摩尔比为1.0-1.5：1.0-1.2：0.25-0.5：2.0-2.5的水合氢氧化钡、金属银、二元固溶体硫化锑和单质硫混合，加入3-5mL水合肼，在160℃烘箱中反应7天，经去离子水和乙醇洗涤后得到BaAgSbS₃·H₂O。

4.如权利要求2所述的四元硫代锑酸盐化合物半导体材料的用途，其特征在于：用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。