[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其按照所给射束条件向被处理物进行注入处理，并具备射束扫描部；及配设于所述射束扫描部的下游的射束平行化部，该离子注入装置的特征在于，

所述射束扫描部在入射离子束的中心轴上的所述射束扫描部的中央部具有扫描原点，

所述射束平行化部在所述扫描原点具有作为平行化透镜的焦点，

所述离子注入装置构成为，使向所述射束扫描部入射的入射离子束的焦点位置沿着所述入射离子束的中心轴而位于所述扫描原点的上游侧，

向所述射束扫描部入射的入射离子束的焦点位置沿着所述入射离子束的中心轴而在所述扫描原点的上游侧被调整，以补正由从所述射束平行化部射出的出射离子束的空间电荷效应引起的发散现象，

通过所述调整，向所述射束扫描部入射的入射离子束的焦点被配置在具有与所述射束条件中的离子种类、能量、射束电流或剂量对应的移动量的位置，且该位置相比所述扫描原点靠上游。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，还具备：

测定部，对表示所述出射离子束所具有的角度分布的扩散大小和所述出射离子束的发散/会聚状态的射束发散度进行测定；及

控制部，调整所述入射离子束的焦点位置，以将通过所述测定部测定的所述出射离子束的射束发散度与所希望的值进行比较，并使射束发散度与该期望值一致。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子注入装置还具备射束会聚部，其配设于所述射束扫描部的上游，且沿着所述中心轴调整所述入射离子束的焦点位置。

4.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述射束扫描部沿着所述中心轴调整所述入射离子束的焦点位置。

5.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子注入装置根据注入条件在多个注入设定结构中的任意注入设定结构下动作，所述多个注入设定结构包括：第1注入设定结构，适合用于向被处理物进行高剂量注入的低能量/高电流射束的输送；及第2注入设定结构，适合用于向被处理物进行低剂量注入的高能量/低电流射束的输送，

所述第1注入设定结构中，所述入射离子束具有第1焦点位置，所述第2注入设定结构中，所述入射离子束具有不同于所述第1焦点位置的第2焦点位置。

6.一种离子注入装置，其按照所给射束条件向被处理物进行注入处理，并具备射束扫描部；及配设于所述射束扫描部的下游的射束平行化部，该离子注入装置的特征在于，

所述射束扫描部在入射离子束的中心轴上的所述射束扫描部的中央部具有扫描原点，

所述射束平行化部在所述扫描原点具有作为平行化透镜的焦点，

所述离子注入装置具备：

测定部，对表示从所述射束平行化部射出的出射离子束所具有的角度分布的扩散大小和所述出射离子束的发散/会聚状态的射束发散度进行测定；及

控制部，沿着所述入射离子束的中心轴调整向所述射束扫描部入射的入射离子束的焦点位置，以将通过所述测定部测定的所述出射离子束的射束发散度与所希望的值进行比较，并使射束发散度与该期望值一致，

通过所述调整，向所述射束扫描部入射的入射离子束的焦点被配置在具有与所述射束条件中的离子种类、能量、射束电流或剂量对应的移动量的位置，且该位置位于所述入射离子束的中心轴上且与所述扫描原点不同。