[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层，从而所述第一沟槽和所述第二沟槽的每个具有侧部和底部；

沿着所述第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；

沿着所述第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；

分别在所述第一电介质层和所述第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；

分别在所述第一下导电层和所述第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；

在形成所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之后，进行热处理；

在进行所述热处理之后，去除所述第一覆盖层和所述第二覆盖层以及所述第一下导电层和所述第二下导电层；以及

分别在所述第一电介质层和所述第二电介质层上形成第一金属栅极结构和第二金属栅极结构，

其中形成所述第一金属栅极结构包括：

直接在所述第一电介质层上形成第一覆盖金属图案；以及

在所述第一覆盖金属图案上形成第一功函数调整图案，

其中形成所述第二金属栅极结构包括：

直接在所述第二电介质层上形成第二功函数调整图案；

在所述第二功函数调整图案上形成第二覆盖金属图案，该第二覆盖金属图案由与所述第一覆盖金属图案的材料相同的材料形成；以及

在所述第二覆盖金属图案上形成第三功函数调整图案，该第三功函数调整图案由与所述第一功函数调整图案的材料相同的材料形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一下导电层和所述第二下导电层包括在所述第一电介质层和所述第二电介质层上形成TiN层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第一覆盖层和所述第二覆盖层包括在所述第一下导电层和所述第二下导电层上形成硅层。

4.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层，从而所述第一沟槽和所述第二沟槽的每个具有侧部和底部；

沿着所述第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；

沿着所述第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；

分别在所述第一电介质层和所述第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；

分别在所述第一下导电层和所述第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；

在形成所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之后，进行热处理；

在进行所述热处理之后，去除所述第一覆盖层和所述第二覆盖层以及所述第一下导电层和所述第二下导电层；以及

分别在所述第一电介质层和所述第二电介质层上形成第一金属栅极结构和第二金属栅极结构，

其中形成所述第一金属栅极结构包括：

直接在所述第一电介质层上形成第一蚀刻停止图案；以及

在所述第一蚀刻停止图案上形成第一功函数调整图案，

其中形成所述第二金属栅极结构包括：

在所述第二电介质层上形成第二蚀刻停止图案，该第二蚀刻停止图案由与所述第一蚀刻停止图案的材料相同的材料形成；

在所述第二蚀刻停止图案上形成第二功函数调整图案；以及

在所述第二功函数调整图案上形成第三功函数调整图案，该第三功函数调整图案由与所述第一功函数调整图案的材料相同的材料形成，其中形成所述第一金属栅极结构包括：

在形成所述第一功函数调整图案之前，在所述第一蚀刻停止图案上形成第一覆盖金属图案，使得所述第一覆盖金属图案插置在所述第一蚀刻停止图案与所述第一功函数调整图案之间，以及

其中形成所述第二金属栅极结构包括：

在形成所述第三功函数调整图案之前，由与所述第一覆盖金属图案的材料相同的材料在所述第二功函数调整图案上形成第二覆盖金属图案，使得所述第二覆盖金属图案插置在所述第二功函数调整图案与所述第三功函数调整图案之间。