[发明专利]一种C15H11NO2S非线性光学晶体及其制法和用途

权利要求书

1.一种C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体，其不具有对称中心，属于单斜晶系，空间群为Pc,晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝106.248°，Z＝2，其化学结构如下：

2.一种权利要求1所述C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体的生长方法，其采用自发结晶挥发法生长晶体，其步骤如下：

将C₁₅H₁₁NO₂S化合物作为溶质完全溶于溶剂，再置于容器中，放置待溶剂挥发，得到C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体；所述溶剂为二氯甲烷、乙腈、氯仿、乙醇、甲醇、1,2-二氯乙烷、丙酮、乙酸乙酯、乙醚、四氢呋喃、二甲基甲酰胺；或上述溶剂的混合溶剂；或上述溶剂与石油醚、正戊烷、己烷或甲苯混合的混合溶剂。

3.一种权利要求1所述的C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体的生长方法，其采用自发结晶降温法生长晶体，其步骤如下：

将C₁₅H₁₁NO₂S化合物作为溶质，在35-50℃下，配制成饱和溶液，恒温24小时，以0.5～2℃/天的速率降至室温，得到C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体；用于配制饱和溶液的溶剂为二氯甲烷、乙腈、氯仿、乙醇、甲醇、1,2-二氯乙烷、丙酮、乙酸乙酯、乙醚、四氢呋喃、二甲基甲酰胺；或上述溶剂的混合溶剂；或上述溶剂与石油醚、正戊烷、己烷或甲苯混合的混合溶剂。

4.一种权利要求1所述的C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体的生长方法，其采用籽晶法生长晶体，其步骤如下：

将C₁₅H₁₁NO₂S化合物作为溶质，在35-50℃下，配置成饱和溶液，恒温24小时，引入籽晶，升温至高于饱和温度5℃，保温2小时，以10℃/小时的降温速率降至饱和温度，保温24小时，再以0.1～1℃/天的速率降温之室温，得到C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体；用于配制饱和溶液的溶剂为二氯甲烷、乙腈、氯仿、乙醇、甲醇、1,2-二氯乙烷、丙酮、乙酸乙酯、乙醚、四氢呋喃、二甲基甲酰胺；或上述溶剂的混合溶剂；或上述溶剂与石油醚、正戊烷、己烷或甲苯混合的混合溶剂。

5.一种权利要求1所述的C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体的用途，其特征在于，所述C₁₇H₁₃NO₃非线性光学晶体用于制备非线性光学器件；所述非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块所述C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。

6.按权利要求5所述的C₁₅H₁₁NO₂S非线性光学晶体的用途，其特征在于，所述的装置为太赫兹波发生器、二次谐波发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器。