[发明专利]MEMS器件校准有效
申请号: | 201510317079.5 | 申请日: | 2015-06-10 |
公开(公告)号: | CN105293422B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 马特吉·戈森斯;威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;卡斯珀·范德阿奥斯特;雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格 | 申请(专利权)人: | ams国际有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C99/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 唐文静 |
地址: | 瑞士拉珀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 器件 校准 | ||
1.一种MEMS器件,包括:
具有内部环境的空腔;
密封,所述密封将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离,其中所述密封易于响应于校准解封能量而被损坏,并且,在所述密封损坏时,形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路;
校准电路,所述校准电路能够在所述密封损坏之前以及在所述密封损坏之后测量所述内部环境;以及
通道,所述通道将所述空腔的拐角耦合到所述密封。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件,还包括:
气密密封的第二器件;以及
其中所述校准电路能够响应于在所述密封损坏之前和在所述密封损坏之后测量所述内部环境而生成用于所述第二器件的校准值。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件,
其中所述第二器件是压力传感器。
4.根据权利要求1所述的MEMS器件,
其中所述MEMS器件被嵌入在封装中;以及
其中当在所述封装内时,所述密封易于响应于所述校准解封能量而被损坏。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件,
其中所述解封能量是以下各项组成的组中的至少一个:热源和穿刺器。
6.根据权利要求5所述的MEMS器件,
其中所述热源是以下各项组成的组中的至少一个:电流和激光。
7.根据权利要求1所述的MEMS器件,
其中所述密封是熔丝;以及
其中所述熔丝能够响应于电流而损坏所述密封。
8.根据权利要求1所述的MEMS器件,
其中所述密封易于受到的损坏包括以下各项组成的组中的至少一项:破裂、裂口、断裂、压裂、龟裂、剥离、压入、穿刺、钻孔、蒸发、烧蚀和熔化。
9.根据权利要求1所述的MEMS器件,
其中所述密封包括热隔离区域,所述热隔离区域降低损坏所述密封所需的解封能量的功率。
10.根据权利要求1所述的器件,
其中所述密封包括具有每单位面积的功率耗散的区域,其降低损坏所述密封所需的解封能量的功率。
11.根据权利要求1所述的MEMS器件,
其中所述密封包括导线和隔离沟。
12.根据权利要求1所述的MEMS器件,
其中所述密封包括具有弯曲形状的导线。
13.根据权利要求1所述的MEMS器件,
其中所述通道具有的宽度比空腔的宽度小一个数量级。
14.根据权利要求1所述的MEMS器件,
其中所述通道包括主通道和以下各项组成的组中的至少一个:闭塞的侧通道和尖角。
15.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中,
所述MEMS器件是压力传感器;
所述空腔被膜覆盖;以及
所述密封是由与膜相同的材料形成的。
16.一种校准MEMS器件的方法,所述MEMS器件包括具有内部环境的空腔、将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离的密封、以及将所述空腔的拐角耦合到所述密封的通道,所述方法包括:
在所述密封损坏之前测量所述MEMS器件内的内部环境的参数;
用校准解封能量损坏所述密封;
其中,当所述密封损坏时,形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路;
在所述密封损坏之后测量所述内部环境的参数;以及
基于所述测量来校准所述MEMS器件。
17.根据权利要求16所述的方法,
其中,所述MEMS器件包括气密密封的第一器件和校准器件;以及
所述方法还包括:响应于在第二器件上的密封损坏之前和在第二器件上的密封损坏之后测量所述第二器件的内部环境,来校准所述第一器件。
18.根据权利要求16所述的方法,其中测量包括:
测量以下参数组成的组中的至少一个参数:空腔压力、谐振频率、品质因子、电容、电容-电压响应、电容压力响应和电容温度响应。
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