[发明专利]一种加热光照控制合成的金纳米颗粒阵列结构及其合成方法

权利要求书

1.一种加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将氯金酸水溶液作为金源滴在嵌段共聚物的有序图案模板上得到混合体系，将混合体系静置、洗涤，然后同时进行光照和加热，得到金纳米颗粒阵列结构；所述嵌段共聚物的有序图案模板的制备方法包括：配制0.5 wt%~2 wt%的嵌段共聚物氯仿溶液，取20~30 μL该溶液以2000~3000 rpm/s的速度匀胶在1 cm´1 cm的硅片或石英片上，将得到的样品在1,4-二氧六环的气氛中放置5~8 h，获得有序图案模板。

2.根据权利要求1所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，以体积为0.1 mL~ 1 mL浓度为0.005~0.024 mol/L氯金酸水溶液作为金源滴在嵌段共聚物的有序图案模板上得到混合体系，将混合体系静置使氯金酸最大程度地吸附到嵌段共聚物有序图案薄膜上，然后洗涤数次以除去多余微吸附的氯金酸，之后同时进行光照和加热，得到金纳米颗粒阵列结构。

3.根据权利要求1或2所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述嵌段共聚物的有序图案模板通过溶剂退火的方法制备而得。

4.根据权利要求1或2所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述加热温度为40~100 °C，光照波长为190~315 nm，光照和加热的时间均为1~4 h。

5.根据权利要求4所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述加热温度为70~80 °C，光照波长为190~254 nm，光照和加热的时间均为2~3 h。

6.根据权利要求1或2所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述嵌段共聚物选自聚苯乙烯-嵌段-聚-4-乙烯基吡啶PS-b-P4VP、聚苯乙烯-嵌段-聚-2-乙烯基吡啶PS-b-P2VP、聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯PS-b-PMMA、聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸PS-b-PMAA、聚乙二醇-嵌段-聚甲基丙烯PEG-b-PMAA以及聚苯乙烯-嵌段-聚N-异丙基丙烯酰胺PS-b-PNIPAM中的任意一种。

7.根据权利要求6所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于：所述聚苯乙烯-嵌段-聚-4-乙烯基吡啶PS-b-P4VP中，PS的分子量为41500~190000，P4VP的分子量为17500~75000。

8.根据权利要求6所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述聚苯乙烯-嵌段-聚-2-乙烯基吡啶PS-b-P2VP中，PS的分子量为41500~200000，P2VP的分子量为18000~75000。

9.根据权利要求6所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯PS-b-PMMA中，PS的分子量为20000~130000，PMMA的分子量为20000~133000。

10.根据权利要求6所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸PS-b-PMAA中，PS的分子量为20000~130000，PMAA的分子量为20000~55000。

11.根据权利要求6所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述聚乙二醇-嵌段-聚甲基丙烯PEG-b-PMAA中，PEG的分子量为11500~39000，PMAA的分子量为10000~68500。

12.根据权利要求6所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于，所述聚苯乙烯-嵌段-聚N-异丙基丙烯酰胺PS-b-PNIPAM中，PS的分子量为11500~39000，PNIPAM的分子量为4500~16500。

13.根据权利要求1或2所述加热光照控制合成金纳米颗粒阵列结构的方法，其特征在于：所述静置时间为30 ~60 min，所述洗涤为使用去离子水冲洗3~5次。