[发明专利]双极性功率器件的制作方法在审
| 申请号： | 201510319322.7 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN105047561A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 张栋 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/329;H01L29/06;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;王聪 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 极性 功率 器件 制作方法 | ||
1.一种双极性功率器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、遮挡所述双极性功率器件的元胞区域，以使所述元胞区域不被辐照；
S2、对所述双极性功率器件进行辐照；
S3、对所述双极性功率器件进行退火。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S2中对所述双极性功率器件进行电子辐照。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S2中对所述双极性功率器件进行质子或氦辐照。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，步骤S2中对所述双极性功率器件的正面或背面进行辐照。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤S2中对位于所述双极性功率器件的终端保护环区域的下方进行辐照。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述辐照的深度为5微米～30微米。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，将步骤S1替换为步骤S1’，步骤S2替换为步骤S2’，
S1’、遮挡所述双极性功率器件的元胞区域，以阻挡重金属掺杂进入所述元胞区域；
S2’、向所述双极性功率器件注入重金属掺杂。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，步骤S2’中向所述双极性功率器件的正面或背面注入重金属掺杂。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述重金属掺杂包括金或铂。
10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S1中利用挡板或光刻胶遮挡所述双极性功率器件的元胞区域。
11.如权利要求1～10中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述双极性功率器件为IGBT或快恢复二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
