[发明专利]一种VDD耐压CMOS的2VDD电平转换电路有效

专利信息
申请号: 201510319996.7 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN104901681B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 李亚 申请(专利权)人: 长沙景嘉微电子股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410205 湖南省长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 vdd 耐压 cmos 电平 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种VDD耐压COMS的2VDD电平转换电路,包括:

一种VDD耐压的CMOS器件工作于2倍VDD电压,可以将VDD电压阈的数字信号转换为2倍VDD电压阈的数字信号的电平转换电路;具体电路形式包含输出级、锁存器、复位电路、逻辑电路、脉冲产生电路五个部分;输出级由3个NMOS管和3个PMOS管构成,NMOS管M1的源极连接到地,栅极连接到反相器X1的输出结点INB,漏极连接到PMOS管M2的源极和NMOS管M3源极;PMOS管M2的源极连接到NMOS管M1的漏极和NMOS管M3源极,栅极连接到反相器X1的输出结点INB,漏极连接到电源VDD;NMOS管M3的源极连接到NMOS管M1的漏极和PMOS管M2的源极,栅极连接到电源VDD,漏极连接到PMOS管M4的漏极作为电路的输出OUT;PMOS管M4的源极连接到PMOS管M5的漏极和NMOS管M6的源极,栅极连接到电源VDD,漏极连接到M3的漏极作为电路的输出OUT;PMOS管M5的源极连接到电源2VDD,栅极连接到锁存器的输出结点B,漏极连接到PMOS管M4的源极和NMOS管M6的源极;NMOS管M6的源极连接到PMOS管M4的源极和PMOS管M5的漏极,栅极连接到锁存器的输出结点B,漏极连接到电源VDD;锁存器由2个NMOS管和2个PMOS管构成;NMOS管M11的源极连接到电源VDD,栅极连接到锁存器的输出结点B,漏极连接到锁存器的结点A;PMOS管M12的源极连接到电源2VDD,栅极连接到锁存器的输出结点B,漏极连接到锁存器的结点A;NMOS管M13的源极连接到电源VDD,栅极连接到锁存器的结点A,漏极连接到锁存器的输出结点B;PMOS管M14的源极连接到电源2VDD,栅极连接到锁存器的结点A,漏极连接到锁存器的输出结点B;复位电路由4个NMOS构成;NMOS管M7的源极连接到地,栅极连接到与门X3的输出端RB,漏极连接到NMOS管M9的源极;NMOS管M8的源极连接到地,栅极连接到与门X4的输出端RBB,漏极连接到NMOS管M10的源极;NMOS管M9的源极连接到NMOS管M7的漏极,栅极连接到电源VDD,漏极连接到锁存器的结点A;NMOS管M10的源极连接到NMOS管M8的漏极,栅极连接到电源VDD,漏极连接到锁存器的结点B;逻辑电路由2个反相器、2个与门和一个脉冲产生电路构成;逻辑电路均由VDD电源供电;反相器X1的输入连接到电平转换电路的输入IN,输出结点INB连接到反相器X2的输入;反相器X2的输入连接到反相器X1的输出结点INB,反相器X2的输出结点为INBB;与门X3的一个输入连接到反相器X1的输出结点INB,另一个输入连接到脉冲产生电路的输出结点IN_CK,输出结点RB连接到复位电路M7的栅极;与门X4的一个输入连接到反相器X2的输出结点INBB,另一个输入连接到脉冲产生电路的输出结点IN_CK,输出结点RBB连接到复位电路M8的栅极;脉冲产生电路的输入连接到电平转换电路的输入IN,输出结点IN_CK连接到与门X3和X4的输入。

2.根据权利要求1所述一种VDD耐压CMOS的2VDD电平转换电路,其特征在于采用VDD耐压的器件工作在2倍VDD电压。

3.根据权利要求1所述一种VDD耐压CMOS的2VDD电平转换电路,其特征在于采用锁存器来维持控制信号。

4.根据权利要求1所述一种VDD耐压CMOS的2VDD电平转换电路,其特征在于采用脉冲产生电路在输入信号发生翻转时对锁存器进行复位或置位操作。

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