[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述像素电极包括第一分电极、与该第一分电极一体形成的第一连接部、第二分电极和与该第二分电极一体形成的第二连接部，所述第一分电极和所述第二分电极绝缘分层设置，所述第一连接部和所述第二连接部均与所述薄膜晶体管的漏极电连接；

其中，所述第一分电极包括第一条形部和与所述第一条形部连接的第一弯折部，所述第一弯折部与所述第一连接部分别位于所述第一条形部的两端，所述第二分电极包括第二条形部和与所述第二条形部连接的第二弯折部，所述第二弯折部与所述第二连接部分别位于所述第二条形部的两端，所述第一弯折部在所述阵列基板上的正投影和所述第二弯折部在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一分电极和所述第二分电极之间设置有第一钝化层，所述第一分电极和所述第二分电极通过所述第一钝化层绝缘设置。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的厚度在之间。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，制作所述第一钝化层的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的任意一种或几种。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一分电极和所述第二分电极中位于下层的一者的宽度大于或者等于位于上层的一者的宽度。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括衬底和依次设置在所述衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极、平坦化层、公共电极、以及第二钝化层，所述像素电极形成在所述第二钝化层上。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二钝化层上设置有第二过孔，所述第一连接部穿过所述第二过孔与所述漏极电连接，所述第一分电极和所述第二分电极之间设置有第一钝化层，所述第一钝化层上设置有第一过孔，所述第二连接部穿过所述第一过孔与所述漏极电连接，所述第一过孔和所述第二过孔同轴设置。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7中任意一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制作方法，包括形成薄膜晶体管和形成像素电极的步骤，其特征在于，所述形成像素电极的步骤包括：

形成第一分电极和与该第一分电极连接为一体的第一连接部；

形成与所述第一分电极绝缘分层设置的第二分电极、以及与该第二分电极连接为一体的第二连接部；

其中，所述第一连接部和所述第二连接部均与所述薄膜晶体管的漏极电连接；

并且，所述第一分电极包括第一条形部和与所述第一条形部连接的第一弯折部，所述第一弯折部与所述第一连接部分别位于所述第一条形部的两端，所述第二分电极包括第二条形部和与所述第二条形部连接的第二弯折部，所述第二弯折部与所述第二连接部分别位于所述第二条形部的两端，所述第一弯折部在所述阵列基板上的正投影和所述第二弯折部在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成与所述第一分电极绝缘分层设置的第二分电极、以及与该第二分电极连接为一体的第二连接部的步骤包括：

在所述第一分电极和与该第一分电极连接为一体的第一连接部上形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上形成所述第二分电极和所述第二连接部。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在形成所述第一分电极之前进行的：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极、平坦化层、公共电极、以及第二钝化层；

在所述第二钝化层上形成第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第二钝化层到达所述漏极；

其中，所述第一分电极和所述第一连接部形成在所述第二钝化层上，所述第一连接部穿过所述第二过孔与所述漏极电连接。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在形成所述第二分电极之前进行的：

在所述第一钝化层上形成第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第一钝化层到达所述漏极；

其中，所述第一过孔和所述第二过孔同轴设置，所述第二连接部穿过所述第一过孔与所述漏极电连接。