[发明专利]石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510320273.9 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN104962876B 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 王兵;熊鹰 申请(专利权)人: 西南科技大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 代理人: 卿诚
地址: 621000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 石墨 表面 金刚石 薄膜 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种石墨表面掺硼金刚石涂层的制备方法,其特征在于在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相连续沉积掺硼金刚石膜,从而实现金属过渡层和掺硼金刚石涂层的原位化学气相沉积。

2.一种如权利要求1所述的石墨表面掺硼金刚石涂层的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

a、将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空至1.0 ~ 3.0 Pa;

b、给反应室内的热丝通电,使灯丝温度达到1200~ 1400℃,再通入50-70℃水浴锅恒温加热气化的羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;

c、关闭羰基钨蒸汽管路进气阀,调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300℃,然后向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。

3.根据权利要求1所述的石墨表面掺硼金刚石涂层的制备方法,其特征在于石墨基体表面制备掺硼金刚石膜的方法采用原位金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术制备,即使用同一套热丝化学气相沉积装置,先在石墨基体表面沉积金属钨膜作为中间层,关闭羰基钨蒸汽管路进气阀,再改变气源及工艺条件,通入甲烷、硼烷和氢气,沉积金刚石膜。

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