[发明专利]石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法有效
申请号: | 201510320273.9 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN104962876B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 王兵;熊鹰 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 卿诚 |
地址: | 621000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 表面 金刚石 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨表面掺硼金刚石涂层的制备方法,其特征在于在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层,再在其上热丝化学气相连续沉积掺硼金刚石膜,从而实现金属过渡层和掺硼金刚石涂层的原位化学气相沉积。
2.一种如权利要求1所述的石墨表面掺硼金刚石涂层的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
a、将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内,将反应室抽真空至1.0 ~ 3.0 Pa;
b、给反应室内的热丝通电,使灯丝温度达到1200~ 1400℃,再通入50-70℃水浴锅恒温加热气化的羰基钨蒸汽,使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层;
c、关闭羰基钨蒸汽管路进气阀,调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100-2300℃,然后向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气,在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。
3.根据权利要求1所述的石墨表面掺硼金刚石涂层的制备方法,其特征在于石墨基体表面制备掺硼金刚石膜的方法采用原位金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术制备,即使用同一套热丝化学气相沉积装置,先在石墨基体表面沉积金属钨膜作为中间层,关闭羰基钨蒸汽管路进气阀,再改变气源及工艺条件,通入甲烷、硼烷和氢气,沉积金刚石膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南科技大学,未经西南科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510320273.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双喷头MOCVD反应室
- 下一篇:一种合金复合材料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的