[发明专利]制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器

权利要求书

1.一种制造固态图像传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：

准备晶片，所述晶片包含其中设置光电转化元件的像素区、其中设置用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区，和划片区；

形成绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述像素区、所述周边电路区和所述划片区；

通过蚀刻所述绝缘膜以使得所述绝缘膜的部分保留以覆盖所述像素区和所述划片区，在所述栅电极的侧表面上形成形成侧壁间隔物；以及

通过使用所述绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模来覆盖所述像素区和所述划片区，在所述周边电路区中形成金属硅化物层，

其中在所述金属硅化物层的形成中，覆盖所述划片区的绝缘膜的面积不低于所述划片区的面积的99％。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘膜是包含硅氧化物层和硅氮化物层的多层膜。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括，形成用于连接到设置在所述像素区中的像素MOS晶体管的接触孔，

其中在形成所述接触孔时，保留在所述像素区中的绝缘膜被用作蚀刻停止物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述侧壁间隔物时，覆盖至少所述光电转化元件的所述绝缘膜的部分保留。

5.根据权利要求1所述的方法，其中

将像素MOS晶体管的栅电极设置在所准备的晶片的所述像素区中，所述像素MOS晶体管用于重置所述光电转化元件中产生的电荷或者放大基于所述光电转化元件的所述电荷的信号，并且

在形成所述侧壁间隔物时，覆盖所述像素MOS晶体管的所述栅电极的侧表面的所述绝缘膜的部分保留。

6.根据权利要求1到5的任何一个所述的方法，其中，在形成所述侧壁间隔物时，除去覆盖部分划片区的绝缘膜的部分，并且在形成所述金属硅化物层时，在所述划片区中形成包含所述金属硅化物层的对准标记。

7.一种制造固态图像传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：

准备晶片，所述晶片包含其中设置光电转化元件的像素区、其中设置用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区和划片区；

形成绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述像素区、所述周边电路区和所述划片区；

通过蚀刻所述绝缘膜以使得所述绝缘膜的部分保留以覆盖所述像素区和所述划片区，在所述栅电极的侧表面上形成形成侧壁间隔物；

通过使用所述绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模来覆盖所述像素区和所述划片区，在所述周边MOS晶体管中形成金属硅化物层；以及

通过按照所述划片区将所述晶片切块来制作芯片，

其中通过所述切块，所述金属硅化物层在所述芯片的端面上不暴露。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述绝缘膜是包含硅氧化物层和硅氮化物层的多层膜。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括，形成用于连接到设置在所述像素区中的像素MOS晶体管的接触孔，

其中在形成所述接触孔时，保留在所述像素区中的所述绝缘膜被用作蚀刻停止物。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在形成所述侧壁间隔物时，覆盖至少所述光电转化元件的所述绝缘膜的部分保留。

11.根据权利要求7所述的方法，其中

将像素MOS晶体管的栅电极设置在所准备的晶片的所述像素区中，所述像素MOS晶体管用于重置所述光电转化元件中产生的电荷或者放大基于所述光电转化元件的所述电荷的信号，并且

在形成所述侧壁间隔物时，覆盖所述像素MOS晶体管的所述栅电极的侧表面的所述绝缘膜的部分保留。

12.根据权利要求7到11中的任何一个所述的方法，其中，在形成所述侧壁间隔物时，除去覆盖部分划片区的绝缘膜的部分，并且在形成所述金属硅化物层时，在所述划片区中形成包含所述金属硅化物层的对准标记。