[发明专利]基于相位处理的宽脉冲触发式低通滤波LED稳压系统在审

专利信息
申请号: 201510321130.X 申请日: 2015-06-07
公开(公告)号: CN104869729A 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 周云扬 申请(专利权)人: 成都冠深科技有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 基于 相位 处理 脉冲 触发 式低通 滤波 led 稳压 系统
【权利要求书】:

1.基于相位处理的宽脉冲触发式低通滤波LED稳压系统,其由变压电路,与变压电路相连接的两级低通滤波放大电路,与两级低通滤波放大电路相连接的移相电路,与移相电路相连接的稳压电路,与稳压电路相连接的输出电路组成;其特征在于:在变压电路和两级低通滤波放大电路之间还设置有宽脉冲触发电路;所述的宽脉冲触发电路由三极管VT7,三极管VT8,单向晶闸管D12,场效应管MOS1,N极顺次经二极管D10和二极管D11后与三极管VT7的发射极相连接、P极则顺次经二极管D9和电阻R18后与三极管VT7的集电极相连接的稳压二极管D8,一端与稳压二极管D8的N极相连接、另一端则经电阻R17后与稳压二极管D8的P极相连接的电位器R16,负极分别与稳压二极管D8的P极以及变压电路相连接、正极则与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C16,一端与三极管VT7的基极相连接、另一端则接地的电阻R19,一端与场效应管MOS1的源极相连接、另一端则与单向晶闸管D12的N极相连接的电阻R20,以及一端与单向晶闸管D12的P极相连接、另一端则与两级低通滤波放大电路相连接的电阻R21组成;所述场效应管MOS1的栅极分别与极性电容C16的正极以及三极管VT7的集电极相连接、其漏极则与三极管VT7的基极相连接、而其源极则与单向晶闸管D12的控制极相连接;所述三极管VT8的基极与稳压二极管D8的P极相连接、其集电极则与场效应管MOS1的栅极相连接、其发射极接地;所述电位器R16的滑动端则与稳压二极管D8的N极相连接。

2.根据权利要求1所述的基于相位处理的宽脉冲触发式低通滤波LED稳压系统,其特征在于:所述的移相处理电路由移相芯片U1,三极管VT4,三极管VT5,一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R12,负极经电阻R13后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C12,正极经电阻R11后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C10,正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C11,一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与三极管VT5的集电极相连接的电位器R10,P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D3,以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D4组成;所述移相芯片U1的VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R10的滑动端相连接,三极管VT4的发射极与三极管VT5的基极相连接,三极管VT5的集电极与两级低通滤波放大电路相连接,电容C12的负极与稳压电路相连接。

3.根据权利要求2所述的基于相位处理的宽脉冲触发式低通滤波LED稳压系统,其特征在于:所述的变压电路由变压器T1,设置在变压器T1原边的原边电路以及设置在变压器T1副边的副边电路组成;所述的原边电路由三极管VT1,一端与三极管VT1的基极相连接、另一端与变压器T1原边电感线圈L3的非同名端相连接的电阻R1,正极与三极管VT1的基极相连接、负极与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C1,P极与极性电容C1的正极相连接、N极则与变压器T1原边电感线圈L2的同名端相连接的二极管D1,负极与变压器T1原边电感线圈L1的同名端相连接、正极作为系统一输入极的极性电容C2组成;所述三极管VT1的基极作为系统的另一输入极、集电极与变压器T1原边电感线圈L3的同名端相连接、发射极接地,变压器T1原边电感线圈L2的同名端与变压器T1原边电感线圈L1的非同名端相连接、其非同名端则与变压器T1原边电感线圈L3的同名端相连接;

所述的副边电路则由与变压器T1副边电感线圈L4相并联的极性电容C3,均与极性电容C3相并联的单向晶闸管D2和电阻R2组成;单向晶闸管D2和电阻R2的个共同端与两级低通滤波放大电路相连接,另一个共同端则与极性电容C16的负极相连接;单向晶闸管D2的控制极接地。

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