[发明专利]一种可钢化三银LOW‑E玻璃及制备方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种镀膜玻璃，更具体地说是一种可钢化三银LOW-E玻璃，本发明还涉及一种玻璃的制备方法。

【背景技术】

玻璃是在当代的生产和生活中扮演着重要角色，镀膜玻璃广泛应用，但是现有的镀膜玻璃膜层容易划伤，抗热性能差，光透过率低，反射率高，遮阳系数高，钢化后颜色偏差大。

【发明内容】

本发明目的是克服了现有技术的不足，提供一种膜层抗机械划伤能力强及耐热性能好，透过率高，反射率低，遮阳系数小，钢化后颜色偏差小的可钢化三银LOW-E玻璃。本发明还提供一种可钢化三银LOW-E玻璃的制备方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种可钢化三银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片1的复合面上由内到外依次相邻地复合有二十个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为SiN_x层21，第二膜层为TiO₂层22，第三膜层为ZnO层23，第四膜层为NiCr层24，第五膜层为Ag层25，第六层膜为NiCr层26，第七膜层为TiO₂层27，第八膜层为ZnO₂层28，第九膜层为NiCr层29，第十膜层为Ag层210，第十一膜层为NiCr层211，第十二膜层为TiO₂层212，第十三膜层为ZnO₂层213，第十四膜层为NiCr层214，第十五层为Ag层215，第十六层为NiCr层216，第十七层为TiO₂层217，第十八层为ZnO层218，第十九层为SiN_x层219，第二十层即最外层为SiC层220。

一种制备可钢化三银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射SiN_x层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料，使用纯度为99.9％的Si靶作溅射；

(2)磁控溅射TiO₂层，用中频交流电源、氩气作主反应气体的溅射半导体材料陶瓷Ti靶；

(3)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶；

(4)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(5)磁控溅射Ag层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(6)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(7)磁控溅射TiO₂层，用中频交流电源、氩气作主反应气体的溅射半导体材料陶瓷Ti靶；

(8)磁控溅射ZnO₂层，用中频交流电源溅射,氧气作主反应气体的氩气作辅助反应溅射；

(9)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(10)磁控溅射Ag层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(11)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(12)磁控溅射TiO₂层，用中频交流电源、氩气作主反应气体的溅射半导体材料陶瓷Ti靶；

(13)磁控溅射ZnO₂层，用中频交流电源溅射,氧气作主反应气体的氩气作辅助反应溅射；

(14)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(15)磁控溅射Ag层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(16)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(17)磁控溅射TiO₂层，用中频交流电源、氩气作主反应气体的溅射；

(18)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射,氧气作主反应气体的氩气作辅助反应溅射；

(19)磁控溅射SiN_x层，用中频交流电源、氮气作主反应气体溅射半导体材料，使用纯度为99.9％的Si靶作溅射；

(20)磁控溅射SiC层，用中频交流电源，氩气作主反应气体溅射半导体陶瓷SiC靶。

与现有技术相比，本发明有如下优点：

1、本玻璃使用SiC作顶膜进一步提高镀膜层的抗机械划伤能力及耐热性能，与SiN_x膜组合使用使膜层的硬度进一步提高，降低了加工的难度，更方便加工，SiC与SiN_x光学性能接近。