[发明专利]一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法，主要步骤为：（1）制备钙钛矿前驱体粉末或晶体，钙钛矿前驱体结构式为AMX₃，式中A 为H、NH₄、CH₃NH₃、NH₂-CH=NH₂、CH₃CH₂NH₃、CH₃(CH₂)₂NH₃、CH₃(CH₂)₃NH₃ 中的一种或两种或两种以上的复合物，M 为Pb、Sn 中的一种或两种的复合物，X 为I、Br、Cl、BF₄、SCN、PF₆ 中的一种或两种或两种以上的复合物；（2）将制备的钙钛矿前驱体粉末或晶体经有机胺处理0.1s-1000h，钙钛矿前驱体粉末或晶体变为液体，将液体在0^oC-200^oC 下经一定成膜工艺制备出钙钛矿薄膜，钙钛矿薄膜中的钙钛矿结构式为BMX₃，式中B 为CH₃NH₃、NH₂-CH=NH₂、CH₃CH₂NH₃、CH₃(CH₂)₂NH₃、CH₃(CH₂)₃NH₃ 中的一种或两种或两种以上的复合物，M 为Pb、Sn 中的一种或两种的复合物，X 为I、Br、Cl、BF₄、SCN、PF₆ 中的一种或两种或两种以上的复合物。

2.如权利要求1 所述的一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法，有机胺为甲胺，甲脒，乙胺，丙胺，丁胺中的一种或者两种或两种以上的混合物。

3.如权利要求1 所述的一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法，钙钛矿前驱体粉末或晶体经有机胺处理得到的液体可以表示为B_1+mMX₃，其中m 的范围为0-10000 之间。

4.如权利要求1 所述的一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法，一定成膜工艺指旋涂工艺，喷涂工艺，印刷工艺，刮涂工艺。

5.权利要求1 中所述的制备高质量钙钛矿薄膜的方法制备的钙钛矿薄膜在太阳能电池，二极管，气敏元件和激光器中的应用。