[发明专利]一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法有效
申请号: | 201510322422.5 | 申请日: | 2015-06-13 |
公开(公告)号: | CN105024012B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 崔光磊;逄淑平;王在伟;周忠敏;徐红霞;刘志宏;常悦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42 |
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地址: | 266101 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 质量 钙钛矿 薄膜 新方法 | ||
1.一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法,主要步骤为:(1)制备钙钛矿前驱体粉末或晶体,钙钛矿前驱体结构式为AMX3,式中A 为H、NH4、CH3NH3、NH2-CH=NH2、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3 中的一种或两种或两种以上的复合物,M 为Pb、Sn 中的一种或两种的复合物,X 为I、Br、Cl、BF4、SCN、PF6 中的一种或两种或两种以上的复合物;(2)将制备的钙钛矿前驱体粉末或晶体经有机胺处理0.1s-1000h,钙钛矿前驱体粉末或晶体变为液体,将液体在0oC-200oC 下经一定成膜工艺制备出钙钛矿薄膜,钙钛矿薄膜中的钙钛矿结构式为BMX3,式中B 为CH3NH3、NH2-CH=NH2、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3 中的一种或两种或两种以上的复合物,M 为Pb、Sn 中的一种或两种的复合物,X 为I、Br、Cl、BF4、SCN、PF6 中的一种或两种或两种以上的复合物。
2.如权利要求1 所述的一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法,有机胺为甲胺,甲脒,乙胺,丙胺,丁胺中的一种或者两种或两种以上的混合物。
3.如权利要求1 所述的一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法,钙钛矿前驱体粉末或晶体经有机胺处理得到的液体可以表示为B1+mMX3,其中m 的范围为0-10000 之间。
4.如权利要求1 所述的一种制备高质量钙钛矿薄膜的方法,一定成膜工艺指旋涂工艺,喷涂工艺,印刷工艺,刮涂工艺。
5.权利要求1 中所述的制备高质量钙钛矿薄膜的方法制备的钙钛矿薄膜在太阳能电池,二极管,气敏元件和激光器中的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择