[发明专利]太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510323003.3 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104865453B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘亚男;胡志富;杜光伟;李静强;冯彬;彭志农;何美林;曹健 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01R27/28 | 分类号： | G01R27/28;G01R3/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 赫兹 散射 参数 测量 校准 及其 制备 方法 | ||
1.一种太赫兹在片散射参数测量校准件，其特征在于：包括衬底(1)，所述衬底(1)的上表面制作有一个直通标准件(2)、一个反射标准件(3)和至少一个传输线标准件(4)，所述衬底(1)的下表面制作有背面金属层(5)，所述衬底(1)作为整个校准件和被测件的共同衬底；
所述传输线标准件(4)采用多线结构，为两个以上；
所述直通标准件(2)、反射标准件(3)和传输线标准件(4)均采用共面波导结构；所述背面金属层(5)的制备材料为金或铝；
所述衬底(1)的制备材料为InP，所述直通标准件(2)、反射标准件(3)和传输线标准件(4)通过InP流片工艺同被测件一起制备在所述衬底(1)的上表面，所述背面金属层(5)通过InP流片工艺制备在所述衬底(1)的下表面。
2.一种太赫兹在片散射参数测量校准件的制备方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：
1)在衬底(1)的上表面制作一个直通标准件(2)、一个反射标准件(3)和至少一个传输线标准件(4)，所述衬底(1)的制作材料和制备工艺与被测件衬底的制备材料和制备工艺相同，所述衬底(1)作为整个校准件和被测件的共同衬底；其中，所述传输线标准件采用多线结构，为两个以上；所述直通标准件(2)、反射标准件(3)和传输线标准件(4)采用共面波导结构；所述直通标准件(2)、反射标准件(3)和传输线标准件(4)通过InP流片工艺同被测件一起制备在所述衬底(1)的上表面；
2)在衬底(1)的下表面制作背面金属层(5)，形成校准件；所述背面金属层(5)的制备材料为金或铝；所述衬底(1)的制备材料为InP，所述背面金属层(5)通过InP流片工艺制备在所述衬底(1)的下表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510323003.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电源系统的驱动信号的质量检测方法和装置
- 下一篇：一种电感自动测试装置
