[发明专利]高压倒装LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有两个以上的芯片单元区域；

在所述衬底上沉积外延叠层，所述外延叠层包括第一半导体层、量子阱层和第二半导体层；

刻蚀所述外延叠层，直至在每个所述芯片单元区域形成至少一个第一沟槽，所述第一沟槽底部暴露所述第一半导体层，每个所述芯片单元区域剩余的所述外延叠层保留为Mesa平台；

在所述Mesa平台上形成第一电极，相邻所述芯片单元区域的所述第一电极之间具有第二沟槽；

形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述Mesa平台和第一电极，同时所述第一绝缘层填充所述第二沟槽并部分填充所述第一沟槽，剩余所述第一沟槽保留为第三沟槽；

刻蚀所述第一绝缘层，直至形成暴露所述第一电极表面的至少一个第四沟槽；

形成互联电极，所述互联电极填充所述第三沟槽和第四沟槽，相邻所述互联电极之间具有第五沟槽，相邻所述芯片单元区域之间，所述互联电极串联其中一个所述芯片单元区域的所述第一电极和另一个所述芯片单元区域的所述第一半导体层；

设置位于第一侧边的所述互联电极电连接位于第一侧边的所述第一半导体层，或者设置位于第二侧边的所述互联电极电连接位于第二侧边的所述第一半导体层；

还包括：

形成第二绝缘层覆盖所述互联电极并填充所述第五沟槽；

在所述第二绝缘层形成第六沟槽，所述第六沟槽暴露其中一个所述互联电极，所述第六沟槽暴露位于第一侧边的所述互联电极，或者暴露位于第二侧边的所述互联电极；

形成第二电极，所述第二电极覆盖所述第二绝缘层并填充所述第六沟槽；

在所述第二电极上形成导电基板；

将所述外延叠层与所述衬底分离以暴露所述第一半导体层的出光面；

刻蚀所述第一半导体层直至形成第七沟槽，位于不同所述芯片单元区域的所述第一半导体层、量子阱层和第二半导体层被所述第七沟槽绝缘分隔；

刻蚀所述第一半导体层直至形成第八沟槽；

当所述第六沟槽暴露位于所述第一侧边的所述互联电极，且位于所述第一侧边的所述互联电极电连接位于所述第一侧边的所述第一半导体层时，所述第八沟槽暴露位于所述第二侧边的所述第一电极；

当所述第六沟槽暴露位于所述第一侧边的所述互联电极，且位于所述第一侧边的所述互联电极电连接位于所述第一侧边的第一电极时，所述第八沟槽暴露位于所述第二侧边的所述互联电极；

当所述第六沟槽暴露位于所述第二侧边的所述互联电极，且位于所述第二侧边的所述互联电极电连接位于所述第二侧边的所述第一半导体层时，所述第八沟槽暴露位于所述第一侧边的所述第一电极；

当所述第六沟槽暴露位于所述第二侧边的所述互联电极，且位于所述第二侧边的所述互联电极电连接位于所述第二侧边的第一电极时，所述第八沟槽暴露位于所述第一侧边的所述互联电极。

2.如权利要求1所述的高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，还包括：

当所述第八沟槽暴露的是所述第一电极时，在所述第八沟槽暴露的所述第一电极表面形成外延电极；

当所述第八沟槽暴露的是所述互联电极时，在所述第八沟槽暴露的所述互联电极表面形成外延电极。

3.如权利要求2所述的高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成所述互联电极时，同时形成填平电极；

当所述外延电极位于所述第一侧时，所述填平电极位于所述第二侧的最外边缘；

当所述外延电极位于所述第二侧时，所述填平电极位于所述第一侧的最外边缘。

4.如权利要求2所述的高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，将所述衬底与所述外延叠层剥离包括：

采用化学方法或者激光方法将所述衬底与所述外延叠层剥离。

5.如权利要求2所述的高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，还包括：

在暴露所述第一半导体层的出光面后，且在刻蚀所述第一半导体层的出光面前，对所述第一半导体层的出光面进行清洁处理和表面粗糙处理的至少一种处理。

6.如权利要求2所述的高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述互联电极的材料为Ag、Al、Rh、Cr、Pt、Au、Ti和Ni的任意一种或多种。