[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、氧化物背板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、氧化物背板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD的主体结构是对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层。现有技术中，根据沟道材料的不同，TFT主要有氧化物半导体TFT(简称氧化物TFT)和非晶硅TFT两种。氧化物TFT因其具有更大的开关电流比，即打开时电流更大，充电时间更短；关断时，漏电流更小，不容易漏电，使其更适合制作高分辨率(高清晰度)、高刷新率(动态画面更流畅)的高端显示产品。

参见图1，为一种典型的氧化物薄膜晶体管的结构示意图，包括：基底1、形成在基底1上的栅极2、形成在栅极2之上的栅绝缘层3、形成在栅绝缘层3之上的有源层4、形成在有源层4和栅绝缘层3之上的源漏电极6a和6b，以及刻蚀阻挡层5、形成在源电极6a和漏电极6b之上的钝化层7、形成在钝化层7之上的像素电极8，该像素电极8通过钝化层7中的过孔与漏电极6b相连。这样的结构存在的一个问题在于，为了提高氧化物薄膜晶体管的响应速度，需要使用导电率较高的金属作为源漏电极，而电阻率较高的金属中导电粒子的扩散能力强，容易扩散到氧化物有源层4中影响氧化物有源层4的电学性能。这样的氧化物薄膜晶体管用于显示产品中时，会影响相应的显示产品的显示性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新的薄膜晶体管结构，能够允许源漏电极具有较高的导电性且对氧化物有源层的电学性能的影响较小。

第一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：

氧化物有源层以及与所述氧化物有源层相连的源漏电极；所述源漏电极各自包括主体部分和导接部分，所述主体部分与所述氧化物有源层相互隔离，并通过所述导接部分与所述氧化物有源层电连接；所述导接部分的电阻率大于所述主体部分的电阻率。

进一步的，所述主体部分包括层叠在一起的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层的电阻率大于所述第二电极层的电阻率；所述导接部分和所述主体部分中的第一电极层为通过同一工艺形成的整体结构。

进一步的，所述第二电极层覆盖在所述第一电极层的上表面上；所述主体部分还包括第三电极层，所述第三电极层覆盖在所述第二电极层的上表面上，用于防护所述第二电极层。

进一步的，，所述第一电极层以及所述导接部分的材质为Ti；

和/或，所述第二电极层的材质为Cu；

和/或，所述第三电极层的材质为Mo或MoNb。

进一步的，所述第一电极层覆盖在所述第二电极层的上表面上。

进一步的，所述氧化物有源层形成在所述源漏电极之上，覆盖所述源漏电极的导接部分的各一部分。

第二方面，本发明还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成氧化物有源层和与所述氧化物有源层相连的源漏电极；其中，所述源漏电极包括主体部分和导接部分，所述主体部分与所述氧化物有源层相互隔离，并通过所述导接部分与所述氧化物有源层电连接；所述导接部分的电阻率大于所述主体部分的电阻率。

进一步的，所述形成所述源漏电极的步骤包括：

利用第一导电材料并通过同一工艺形成连接为整体结构的第一电极层和导接部分；利用第二导电材料形成第二电极层；其中，所述第二电极层和第一电极层层叠在一起构成所述主体部分，所述第一导电材料的电阻率大于所述第二导电材料的电阻率。

进一步的，所述利用第一导电材料并通过同一工艺形成连接为整体结构的第一电极层和导接部分，利用第二导电材料形成第二电极层，包括：

沉积第一导电材料层，在沉积的第一导电材料层之上沉积第二导电材料层；

对第二导电材料层刻蚀形成第二电极层，之后对第一导电材料层进行刻蚀形成第一电极层和导接部分；

在对第二导电材料层刻蚀形成主体部分的第二电极层之前，所述方法还包括：

在第二导电材料层之上沉积第三导电材料层；以及对所述第三导电材料层进行刻蚀形成用于防护所述第二电极层的第三电极层；所述第三电极层与所述第一电极层和所述第二电极层层叠在一起构成所述主体部分。

进一步的，所述第一导电材料为Ti，所述第二导电材料为Cu，所述第三导电材料为Mo或者MoNb；