[发明专利]白光LED用蓝光荧光粉及其制备方法和白光LED发光装置有效

专利信息
申请号: 201510325924.3 申请日: 2015-06-14
公开(公告)号: CN104927846A 公开(公告)日: 2015-09-23
发明(设计)人: 夏志国;苗世海 申请(专利权)人: 中国地质大学(北京)
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;H01L33/50
代理公司: 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 代理人: 马灵洁
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 白光 led 用蓝光 荧光粉 及其 制备 方法 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种白光LED用蓝光荧光粉,其特征在于,其化学组成式为Ca1-xSr1-xSi1-yAlyO4:xCe3+,xLi+,其中0.01≤x≤0.20,0≤y≤0.10。

2.根据权利要求1所述的蓝光荧光粉,其中,0.10≤x≤0.18,0.03≤y≤0.07。

3.根据权利要求2所述的蓝光荧光粉,其中,x=0.15,y=0.05。

4.一种制备权利要求1-3任一项所述的白光LED用蓝光荧光粉的方法,包括下列步骤:

1)按通式Ca1-xSr1-xSi1-yAlyO4:xCe3+,xLi+的化学计量比准确称取原料,其中x和y值如权利要求1-3所述,并充分研细混匀,得到原料混合物;

2)将步骤1)得到的原料混合物在还原气氛中高温煅烧,从而得到烧结体;

3)将步骤2)得到的烧结体研磨成为粉末。

5.一种白光LED发光装置,包括封装基板、近紫外光LED芯片以及能够有效吸收LED芯片发光并释放红绿蓝三色光的三基色荧光粉,其特征在于,蓝光荧光粉为权利要求1-3任一项所述的白光LED用蓝光荧光粉。

6.根据权利要求5所述的白光LED发光装置,其中,所述近紫外LED芯片为InGaN半导体芯片。

7.根据权利要求5或6所述的白光LED发光装置,其中,所述红光荧光粉为Ga0.9Al0.9Si0.9O0.1N2.9:Eu0.1;绿光荧光粉是Si2Al4O4N4:Eu0.1

8.根据权利要求7所述的白光LED发光装置,其中,蓝光荧光粉、红光荧光粉与绿光荧光粉的摩尔比为1:(0.6-3):(0.1-0.6)。

9.根据权利要求8所述的白光LED发光装置,其中,蓝光荧光粉、红光荧光粉与绿光荧光粉的摩尔比为1:(1-1.5):(0.3-0.4)。

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