[发明专利]制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法

权利要求书

1.一种制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，包括如下步骤：

步骤1：在一量子级联激光器外延片上制备掩模层；

步骤2：采用光刻的方法在掩模层制备图形，开出窗口；

步骤3：使用非选择性腐蚀液，腐蚀腐蚀掉窗口内量子级联激光器外延片的盖层，暴露出有源层；

步骤4：使用选择性腐蚀液，腐蚀掉暴露出的有源层，暴露出衬底；

步骤5：再使用非选择性腐蚀液，腐蚀窗口的侧壁及衬底的表面，获得平滑的脊型波导侧壁，完成制备。

2.根据权利要求1所述的制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，其中量子级联激光器外延片依次包括一衬底、一有源层和一盖层。

3.根据权利要求2所述的制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，其中衬底的材料为InP；有源层的材料为交替生长的InGaAs和InAlAs；盖层的材料为InGaAs。

4.根据权利要求1所述的制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，其中制备掩膜层，是先将光刻胶涂覆在量子级联激光器外延片上，再通过曝光显影将光刻版上的激光器条形图型复制到量子级联激光器外延片上，掩模层是采用光刻胶：S1805，厚度为300-600nm。

5.根据权利要求1所述的制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，其中非选择性腐蚀液的配比为HNO₃∶HBr∶H₂O＝1∶1∶10，腐蚀温35℃，腐蚀速率为1μm/min。

6.根据权利要求1所述的制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，其中选择性腐蚀液的配比为H₃PO₄∶H₂O₂∶H₂O＝1∶1∶6，在恒温条件下的腐蚀速率为1μm/min。