[发明专利]一种电压调整电路

说明书

【技术领域】

本发明涉及电路设计技术领域，特别涉及一种电压调整电路。

【背景技术】

请参考图1所示，其为现有技术中的一种电压调整电路的电路示意图，该电压调整电路包括外接高压双极型晶体管Q、第一电阻R1和齐纳二极管D0。图1所示的电压调整电路在通过外接高压双极型晶体管Q将高压(输入电压)VIN转为固定低压(或输出电压)VO时，使用芯片内齐纳二极管D0来得到较为稳定的电压供给外接高压双极型晶体管Q的基极，从而在外接双极型晶体管Q的发射极得到较为稳定的电压VO供给芯片使用。然而，并不是所有的代工厂工艺均能提供齐纳二级管，同时齐纳二级管的温漂效应会降低电压的稳定性，比如，对应不同的温度，在外接高压双极型晶体管Q的基极电压会造成偏差，使得外接双极型晶体管Q的发射极的电压VO也有相应的偏差，从而难以得到期望的稳定的低压输出。这里的高压双极型晶体管Q是指其需要耐受较芯片内的双极型晶体管更为高的电压，芯片内的双极型晶体管此时也可以被称之为低压双极型晶体管。

在不使用齐纳二级管的情况下，通过反馈电路也能产生稳定的电压供给外接双极型晶体管Q的基极，请参考图2所示，其为现有技术中，一种设置有反馈电路的电压调整电路的电路示意图。图2所示的电压调整电路通过带隙基准210产生一个稳定的1.26V的电压，使用由双极型晶体管B0和B1等组成的反馈电路将双极型晶体管B1的基极电位钳制在和带隙基准210的输出电压相同的电位1.26V，通过调整反馈电阻电路220的比例即可得到所需的电压。然而，图2所示的电路的最大的缺点在于，在反馈电路工作前，外接高压双极型晶体管Q的基极和发射极的电位尚未建立，需要设置启动电路230进行启动。这样，在电路启动时，由低压晶体管组成的启动电路230需要短暂的耐受高压，这对电路的

因此，有必要提供一种改进的技术方案来解决上述问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种电压调整电路，其不依赖于工艺，且启动电压低，从而提高电路的可靠性。

本发明提供一种电压调整电路，其包括：高压双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、二级管电路和电流产生电路。所述高压双极型晶体管的第一电极与电压调整电路的输入端相连，其第二电极与电压调整电路的输出端相连，第一电阻连接于所述电压调整电路的输入端和所述高压双极型晶体管的基极之间；所述二级管电路的正极与所述高压双极型晶体管的基极相连，其负极与第二电阻的一端相连，第二电阻的另一端与地节点相连，所述二级管电路包括依次串联于其正极和负极之间的一个或多个负温度系数的二级管单元；所述电流产生电路的输入端与所述电压调整电路的输出端相连，电流产生电路的输出端与所述二级管电路的负极和第二电阻之间的连接节点相连，所述电流产生电路基于电压调整电路的输出端的电压输出具有正温度系数的反馈电流，该反馈电流流向第二电阻。

进一步的，所述外接高压双极型晶体管为NPN型晶体管，所述第一电极为集电极，所述第二电极为发射极。

进一步的，所述外接高压双极型晶体管为PNP型晶体管，所述第一电极为发射极，所述第二电极为集电极。

进一步的，所述第二电阻具有正温度系数，二级管单元为二级管或二级管接法的低压双极型晶体管。

进一步的，所述二极管单元为NPN型晶体管，该NPN型晶体管的基极与其集电极相连，以作为所属的二级管单元的正极，该NPN型晶体管的发射极作为所属的二级管单元的负极。

进一步的，所述二级管单元为PNP型晶体管，该PNP型晶体管的基极与其发射极相连，以作为所属的二极管单元的负极，该PNP型晶体管的集电极作为所属的二级管单元的正极。