[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底基板上形成低温多晶硅有源层的步骤；其中，所述衬底基板具有第一区域和第二区域；所述第一区域对应于待形成的低温多晶硅有源层的图案，所述第二区域至少位于待形成的低温多晶硅有源层的相对两侧；

所述在衬底基板上形成低温多晶硅有源层的步骤包括：

在所述衬底基板的第一区域和第二区域上形成缓冲层，所述缓冲层对应于第一区域的厚度大于对应于第二区域的厚度；或者，在所述衬底基板的第一区域上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行激光晶化处理，使所述非晶硅层转化为多晶硅层；

去除所述第二区域上的所述多晶硅层，在所述第一区域上形成低温多晶硅有源层；

所述低温多晶硅有源层具有预定区域、源极接触区域、漏极接触区域；所述预定区域对应于待形成的源极与漏极相对的区域；

其中，所述源极接触区域、所述漏极接触区域分别位于所述第一区域中靠近所述第二区域的相对两侧；

所述去除所述第二区域上的所述多晶硅层，在所述第一区域上形成低温多晶硅有源层之后，所述制备方法还包括：对所述源极接触区域以及所述预定区域靠近所述源极接触区域的第一部分区域进行离子掺杂，形成第一掺杂区域；以及，对所述漏极接触区域以及所述预定区域靠近所述漏极接触区域的第二部分区域进行离子掺杂，形成第二掺杂区域；

所述第一掺杂区域沿导通方向上的宽度为1～2μm；和/或，所述第二掺杂区域沿导通方向上的宽度为1～2μm；其中，所述导通方向为从所述源极接触区域指向所述漏极接触区域的方向；

所述对所述非晶硅层进行激光晶化处理，使所述非晶硅层转化为多晶硅层之前，所述制备方法还包括：对形成的所述非晶硅层进行去氢处理。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成低温多晶硅有源层的步骤具体包括：

采用第一构图工艺，在所述衬底基板的第一区域和第二区域上形成缓冲层，所述缓冲层对应于第一区域的厚度大于对应于第二区域的厚度；或者，采用第一掩膜工艺，在所述衬底基板的第一区域上形成缓冲层；

采用第二构图工艺，去除所述第二区域上的所述多晶硅层，在所述第一区域上形成低温多晶硅有源层；

采用掩膜工艺，遮挡住所述预定区域中除所述第一部分区域和所述第二部分区域之外的区域；对所述源极接触区域以及所述预定区域靠近所述源极接触区域的第一部分区域进行离子掺杂，形成第一掺杂区域；以及，对所述漏极接触区域以及所述预定区域靠近所述漏极接触区域的第二部分区域进行离子掺杂，形成第二掺杂区域；

其中，所述掩膜工艺与所述第一构图工艺采用同一掩膜板；和/或，所述掩膜工艺与所述第二构图工艺采用同一掩膜板。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用第二构图工艺，去除所述第二区域上的所述多晶硅层，在所述第一区域上形成低温多晶硅有源层，具体包括：

在形成的所述多晶硅层上形成光刻胶；

通过掩膜板对形成有所述光刻胶的衬底基板进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留部分和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留部分对应于第一区域；所述光刻胶完全去除区域对应于第二区域；

通过刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除区域暴露出的所述多晶硅层，形成低温多晶硅有源层的图案。