[发明专利]一种台面晶闸管及其制备方法

权利要求书

1.一种台面晶闸管，包括芯片、台面槽(1)、基区(2)以及表面氧化层(5)，所述基区(2)形成在芯片上，在基区(2)上形成有阳极(7)、阴极(4)和门极(6)，所述表面氧化层(5)上形成有引线孔，所述引线孔分别对准所述的阴极(4)和门极(6)并填充有铝电极，其特征在于：台面槽(1)的槽深低于基区(2)的结深，且所述台面槽(1)与基区(2)形成的夹角近直角。

2.根据权利要求1所述的一种台面晶闸管，其特征在于所述芯片为硅片。

3.一种台面晶闸管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在芯片上生长形成氧化层，用光刻技术对氧化层进行第一次光刻腐蚀，称为开一次基区，一次基区背面采用全部扩散；

2)在步骤1)的基础上，用光刻技术对氧化层进行第二次光刻腐蚀，称为开二次阴极区；

3)在步骤2)的基础上，用光刻技术对氧化层进行第三次光刻腐蚀，称为开台面槽，通过台面腐蚀的方法形成台面槽，所述台面槽的槽深低于基区的结深，且台面槽与基区形成近直角的夹角。

4.根据权利要求3所述的一种台面晶闸管的制备方法，其特征在于步骤1)中，一次基区背面进行全部扩散时，扩散采用离子注入方法。

5.根据权利要求3所述的一种台面晶闸管的制备方法，其特征在于基区结深为45微米，台面槽的槽深为5～10微米。