[发明专利]一种基于游标效应的马赫曾德调制型谐振腔传感器有效
申请号: | 201510331060.6 | 申请日: | 2015-06-16 |
公开(公告)号: | CN104949938B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 王卓然;袁国慧;陈昱任;孙文瀚;王军 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01N21/45 | 分类号: | G01N21/45 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人: | 周永宏,王伟 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 游标 效应 马赫 调制 谐振腔 传感器 | ||
1.一种基于游标效应的马赫曾德调制型谐振腔传感器,其特征在于:包括自下而上依次层叠键合的硅基层(5)、二氧化硅层(6)和单晶硅层构成的SOI基体,所述SOI基体的单晶硅层包含同一平面内的U形波导(1)和环形谐振腔(2),U形波导(1)包括依次连接的第一耦合直波导(11)、第二耦合直波导(12)、第一圆弧连接波导(13)、第三耦合直波导(14)、第四耦合直波导(15)、第二圆弧连接波导(16)、第五耦合直波导(17)和第六耦合直波导(18);
环形谐振腔(2)包括第一半环波导(20)、第一圆弧波导(21)、第二半环波导(22)、第二圆弧波导(23)、第三半环波导(24)、第三圆弧波导(25)、第四半环波导(26)和第四圆弧波导(27),它们首尾相连形成环形谐振腔(2);环形谐振腔(2)为一个中空的十字形结构;第一半环波导(20)、第二半环波导(22)、第三半环波导(24)和第四半环波导(26)为半径相等的圆环的二分之一圆弧,其中第一半环波导(20)和第三半环波导(24)左右对称分布,开口相对;第二半环波导(22)和第四半环波导(26)上下对称分布,开口相对;第一圆弧波导(21)、第二圆弧波导(23)、第三圆弧波导(25)和第四圆弧波导(27)为半径相等的圆环的四分之一圆弧;
所述第一耦合直波导(11)、第二耦合直波导(12)和第二半环波导(22)构成第一耦合器(30),第三耦合直波导(14)、第四耦合直波导(15)和第三半环波导(24)构成第二耦合器(31),第五耦合直波导(17)和第六耦合直波导(18)和第四半环波导(26)构成第三耦合器(32)。
2.根据权利要求1所述的马赫曾德调制型谐振腔传感器,其特征在于:第二耦合直波导(12)、第一圆弧连接波导(13)、第三耦合直波导(14)、第二半环波导(22)的左半部分、第二圆弧波导(23)和第三半环波导(24)的上半部分构成第一马赫曾德干涉仪(40),第四耦合直波导(15)、第二圆弧连接波导(16)、第五耦合直波导(17)、第三半环波导(24)的下半部分、第三圆弧波导(25)和第四半环波导(26)的左半部分构成第二马赫曾德干涉仪(41)。
3.根据权利要求1或2所述的马赫曾德调制型谐振腔传感器,其特征在于:第一半环波导(20)、第一圆弧波导(21)和第四圆弧波导(27)构成反馈回路。
4.根据权利要求1所述的马赫曾德调制型谐振腔传感器,其特征在于:所述第一圆弧连接波导(13)和第二圆弧连接波导(16)均为圆环的四分之一圆弧。
5.根据权利要求1所述的马赫曾德调制型谐振腔传感器,其特征在于:所述U形波导(1)和环形谐振腔(2)为无源脊形波导或条形波导。
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