[发明专利]保护热场部件减小损耗的热场及方法

权利要求书

1.一种直拉单晶硅生长的热场系统；其特征在于：包括设置在热场外壳内的加热器 (3)、三瓣坩埚(2)、主保温内筒(6)、主保温外筒(7)、上保温内筒(9)、主保温盖(8)、 上保温外筒(10)、上保温盖(11)、下保温盖(5)、导流筒(1)和底盘(4)；

所述热场外壳的下方设置有导流孔，三瓣坩埚(2)通过轴支撑在底盘(4)上，三瓣 坩埚(2)的正上方设置导流筒(1)，三瓣坩埚(2)与热场外壳之间依次设置主保温内筒 (6)和主保温外筒(7)；

所述导流筒(1)与热场外壳之间依次设置上保温内筒(9)和上保温外筒(10)；所 述导流筒(1)和上保温内筒(9)以及上保温外筒(10)之间的连接处设置上保温盖(11)， 在上保温内筒(9)以及上保温外筒(10)和主保温内筒(6)以及主保温外筒(7)之间 的连接处设置主保温盖(8)，在主保温内筒(6)和主保温外筒(7)的下方设置下保温盖 (5)；三瓣坩埚(2)和主保温内筒(6)之间设置加热器(3)，加热器(3)与三瓣坩埚 (2)以及加热器(3)与主保温内筒(6)之间分别设置导流通道。

2.根据权利要求1所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述导流筒(1) 为倒圆锥形。

3.根据权利要求2所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述加热器(3) 通过石墨材料制成；

其叶片内外表面设置碳化硅涂层。

4.根据权利要求3所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述三瓣坩埚(2)、 主保温内筒(6)、上保温内筒(9)以及导流筒(1)均由碳/碳复合材料制成；

所述导流筒(1)和三瓣坩埚(2)的外表面、以及主保温内筒(6)和上保温内筒(9) 的内表面均设置有碳化硅涂层。

5.根据权利要求4所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述下保温盖(5)、 主保温盖(8)、上保温盖(11)和底盘(4)均由保温材料制成；

所述下保温盖(5)、主保温盖(8)、上保温盖(11)和底盘(4)上设置有碳化硅涂 层。

6.根据权利要求5所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述碳化硅涂层 均匀，表观密度为2.0～4.0g/cm²，纯度大于99.99％，厚度为10～500μm。

7.根据权利要求6所述的直拉单晶硅生长的热场系统，其特征在于：所述的内表面是 指朝向中心的一面，所述的外表面是指朝向炉壁的一面。

8.保护热场部件减小损耗的热场改进方法，其特征在于：通过石墨材料制成加热器 (3)，并在其叶片内外表面均匀设置碳化硅涂层；

通过碳/碳复合材料制成三瓣坩埚(2)、主保温内筒(6)、上保温内筒(9)以及导流 筒(1)，并在其内表面均匀设置碳化硅涂层；

通过保温材料制成下保温盖(5)、主保温盖(8)、上保温盖(11)和底盘(4)，并在 其上设置碳化硅涂层。

9.根据权利要求8所述的保护热场部件减小损耗的热场改进方法，其特征在于：所述 碳化硅涂层均匀设置，表观密度为2.0～4.0g/cm²，纯度大于99.99％，厚度为10～500μm。

10.根据权利要求9所述的保护热场部件减小损耗的热场改进方法，其特征在于：所 述保温材料由碳/碳复合材料和碳毡相互错开层叠，并高温烧结固化而成。