[发明专利]一种高频低损耗软磁铁氧体材料在审
申请号: | 201510332284.9 | 申请日: | 2015-06-16 |
公开(公告)号: | CN105669175A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 李前军;颜茂山;杜兴龙;徐宸;袁翔;季长贵;马鑫圣;王亮;叶乃俊 | 申请(专利权)人: | 泰州茂翔电子器材有限公司 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26 |
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地址: | 225711 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高频 损耗 磁铁 材料 | ||
技术领域
本发明涉及磁性材料技术领域,具体地,本发明涉及一种高频低损耗软磁铁 氧体材料。
背景技术
软磁铁氧体材料是以Fe2O3为主成分,用来制备具有软磁特性铁氧体的材料, 主要特点为容易磁化,也容易退磁。软磁铁氧体材料是一种用途广、产量大、成 本低的基础材料,是电子、机电工业重要的支柱产品之一,它的推广应用直接影 响到电子信息、家电工业、计算机与通讯、环保及节能技术的发展,也是衡量一 个国家经济发达程度的标志之一。软磁铁氧体材料具有高磁导率、高电阻率、低 损耗、良好的高频特性及陶瓷的耐磨性,因而在电视机的电子束偏转线圈、回扫 变压器、收音机扼流圈、中周变压器、电感器、开关电源、通讯设备、滤波器、 计算机、电子镇流器、LED等绿色照明、太阳能及风能等新能源、汽车电子、物 联网等领域得到广泛应用;随着电子技术日益广泛的应用,特别是数字电路和开 关电源应用的普及,电磁干扰(EMI)问题日益重要,世界各国对电子仪器及测 量设备抗电磁干扰性能提出的标准越来越高。因此,以软磁铁氧体为基础的EMI 磁性元件发展迅速,产品种类繁多,如电磁干扰抑制器、电波吸收材料、倍频器、 调制器等,己成为现代军事电子设备、工业和民用电子仪器不可缺少的组成部分。
CN102194561A公开了一种软磁铁氧体材料及其制备方法,CN1627454A公 开了一种低损耗软磁锰锌铁氧体,CN102942356B公开了一种软磁铁氧体材料, 上述的三件专利均是对氧化铁(Fe2O3)、氧化锰(MnO)与氧化锌(ZnO)的摩尔 配比及各种常规添加剂份量的限定。我公司在生产实验中得出一些能够有效提升 适应高频环境,并在运行中损耗较低的的添加剂组方。
我公司之前应用中的铁氧体材料主要MP4A、MP4B及MP4C牌号的产品,也是 目前市场上铁氧体材料的主流产品,其各个牌号产品的配方组成与组成含量如 下:
MP4A铁氧体材料的配方组成与组成含量为:
MP4B铁氧体材料的配方组成与组成含量为:
MP4C铁氧体材料的配方组成与组成含量为:
所述MP4A、MP4B及MP4C的性能及损耗测试结果如表1所示,测试条件为 500Kc/50mT环境。
表1:MP4A、MP4B及MP4C的性能及损耗测试表
随着电子行业向高频化方向发展的趋势越来越快,因而磁性材料的高频化也 是将来的重要发展方向。其表征特性为在高频下实现磁芯的低损耗。一般对材料 的要求为:磁芯损耗在500kc、50mT及100℃的测试条件下应小于130mW/cm3。 并且初始磁导率在1600左右,而经过测试,由表1可知目前所通常使用的材料 在高频的状态下无法实现高频低损耗的目标,故需研发一种新型的高频低损耗软 磁铁氧体材料,以适应市场发展的需要。
发明内容
发明目的:针对现有技术的不足,本发明提供一种高频低损耗软磁铁氧体材 料,在常规铁氧体材料配方中加入数种添加剂,以达到高频环境下低损耗运行的 效果。本公司将这种高频低损耗软磁铁氧体材料命名为MP1K4材料,故本说明书 下文中如果提到MP1K4材料,统一视为本发明一种高频低损耗软磁铁氧体材料。
技术方案:为了实现上述发明目的,本发明所采用的技术方案如下:一种高 频低损耗软磁铁氧体材料,所述铁氧体材料包括主成分与添加剂,所述主成份包 括氧化铁(Fe2O3)、氧化锰(MnO)及氧化锌(ZnO)。
其中,主成分按照摩尔百分比包括:
52.8~54.3mol%氧化铁(Fe2O3)
38.9~40.8mol%氧化锰(MnO)
5.5~7.2mol%氧化锌(ZnO);
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