[发明专利]传感器结构及磁读头

权利要求书

1.一种传感器结构，包括：

从介质面对的表面凹进的被钉扎磁结构；以及

读取器间隙结构，其包括：

间隔层，其从所述介质面对的表面凹进且布置在所述被钉扎磁结构的上面，

第一自由层，其至少部分地从所述介质面对的表面凹进且布置在所述间隔层的上面，

第二自由层，其延伸至所述介质面对的表面且布置在所述第一自由层的上面；

盖层，其延伸至所述介质面对的表面布置在所述第二自由层的顶上；其中所述被钉扎磁结构、所述间隔层和凹进的所述第一自由层的公共面被取向在相对于所述介质面对的表面的一角度上；

前屏蔽，其布置在所述公共面和所述介质面对的表面之间；以及

前隔离层，其布置在所述前屏蔽上且在所述公共面和所述介质面对的表面之间，其中所述第二自由层被布置在其上；以及

后隔离层，该后隔离层形成在传感器结构的后表面与第一自由层、间隔层、第二自由层和盖层之间。

2.如权利要求1的传感器结构，其中所述公共面的所述角度是大于-90度的负角。

3.如权利要求1的传感器结构，其中所述被钉扎磁结构包括：

第一反铁磁层，

第一被钉扎层，其首先布置在所述第一反铁磁层上，

钉扎间隔层；以及

第二反平行被钉扎层，其首先布置在所述钉扎间隔层上。

4.如权利要求2的传感器结构，其中所述公共面的所述角度为约30度。

5.如权利要求2的传感器结构，其中所述读取器间隙结构的宽度在12nm和4nm之间。

6.如权利要求2的传感器结构，其中联结所述第二自由层和凹进的所述第一自由层导致大于第一反铁磁层的组合厚度。

7.如权利要求1的传感器结构，其中所述公共面的所述角度是小于90度的正角。

8.如权利要求7的传感器结构，进一步包括：

前屏蔽，其布置在所述公共面和所述介质面对的表面之间；以及

前隔离层，其布置在所述前屏蔽上且在所述公共面和所述介质面对的表面之间，其中所述第二自由层被布置在其上。

9.如权利要求8的传感器结构，其中所述被钉扎磁结构包括：

第一反铁磁层，

第一铁磁被钉扎层，其首先布置在所述第一反铁磁层上，

钉扎间隔层；以及

第二反平行被钉扎层，其首先布置在所述钉扎间隔层上。

10.如权利要求7的传感器结构，其中所述公共面的所述角度为约30度。

11.如权利要求7的传感器结构，其中所述读取器间隙结构的宽度在12nm和4nm之间。

12.如权利要求7的传感器结构，其中联结所述第二自由层和凹进的所述第一自由层导致大于第一反铁磁层的组合厚度。