[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201510335054.8 | 申请日: | 2015-06-16 |
公开(公告)号: | CN104898332A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 王英涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch,以下简称为ADS)模式的显示装置通过设置在同一平面内的狭缝电极边缘产生的电场,以及狭缝电极层与面状电极层之间形成的多维电场,使液晶层中位于狭缝电极之间、狭缝电极正上方的所有液晶分子都能够产生旋转,提高光线穿过液晶层的透过率,并获得较宽的视角。
如图1所示,ADS显示装置一般包括阵列基板1、彩膜基板2和位于二者之间的液晶层3;其中,所述阵列基板1包括下基板10,以及制备在下基板10下侧的下偏光片11,制备在下基板10上侧的薄膜晶体管(图中未示出)、公共电极12、绝缘层13和像素电极14;彩膜基板2包括上基板20,以及制备在上基板20下侧的彩色滤光片(图中未示出),制备在上基板20上侧的上偏光片21。
目前,人们对ADS显示装置的尺寸的要求越来越大,对其分辨率的要求越来越高。而随着尺寸的增大和分辨率的提高,信号在传输过程中的延迟会更加严重,同时,公共电极与像素电极之间的存储电容也会过大。其中,存储电容过大会导致行方向的显示错误,以及放电缓慢,产生残像等问题;对于刷新率较高的显示装置而言,存储电容过大还会导致显示偏绿的现象。
现有的解决上述存储电容过大的方案是增大绝缘层13的厚度,这样使公共电极12和像素电极14之间的距离变大,从而有助于降低公共电极12和像素电极14之间的存储电容。但上述解决方案存在以下问题:由于公共电极12和像素电极14之间的距离较大,实现像素进行显示所需的驱动电压也会变大,如图2所示,在公共电极12和像素电极之间的绝缘层13的厚度变大时,显示装置的驱动电压也会变大,这样就会导致显示装置的功耗增加。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置,其可以在减小像素电极和公共电极之间的存储电容的同时,避免导致驱动电压的增大,从而可以在高分辨率和大尺寸产品中实现较低的功耗。
为实现本发明的目的而提供一种显示基板,包括第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极之间设置有绝缘层,所述第一电极位于所述第二电极上方,所述第一电极为条状电极,所述第二电极为面状电极,所述第二电极包括多个与两相邻的所述第一电极之间的空隙区域相对应的且向所述第一电极的方向凸起的凸起部。
其中,所述第二电极上的每个所述凸起部的宽度小于该凸起部所对应的相邻所述第一电极之间的间隙的宽度。
其中,所述凸起部的高度小于所述第一电极与所述第二电极之间的距离。
其中,所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极;或者,所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。
其中,所述凸起部的高度小于所述第一电极和第二电极之间的绝缘层的厚度。
其中,所述第二电极的凸起部在垂直于所述第一电极的长度方向的平面内的截面形状为梯形、三角形或矩形。
作为另一个技术方案,本发明还提供一种制备上述显示基板的方法,其包括:
通过构图工艺在衬底基板上形成凸部;
通过构图工艺形成第二电极的图形,所述第二电极为面状;
通过构图工艺形成绝缘层的图形;
通过构图工艺形成第一电极的图形,所述第一电极为条状,且所述凸部的位置与相邻第一电极之间的间隙对应。
其中,所述凸部的高度小于所述第一电极和第二电极之间的绝缘层的厚度。
作为另一个技术方案,本发明还提供一种显示面板,其包括上述显示基板。
作为另一个技术方案,本发明还提供一种显示装置,其包括上述显示面板。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的显示基板,其第二电极的凸起部与相邻第一电极之间的空隙之间的距离小于第一电极至第二电极之间的绝缘层的厚度,与现有技术相比,相邻第一电极之间的间隙处至第二电极上与该间隙处对应的区域之间的距离更小,这样可以在第一电极和第二电极之间的绝缘层厚度较大的情况下,降低第一电极和第二电极之间的存储电容,以避免导致显示错误,以及残像、显示偏绿等问题的同时,使像素实现显示所需的驱动电压降低,从而可以降低功耗。
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